intel strataflash™ 记忆 技术, 32 和 64 mbit
E
6
进步 信息
是 有效的. likewise, 这 设备 有 一个 wake 时间
(t
PHWL
) 从 rp#-高 直到 写 至 这 cui 是
公认的. 和 rp# 在 地, 这 wsm 是 重置
和 这 状态 寄存器 是 cleared.
这 intel strataflash 记忆 设备 是
有 在 一些 包装 类型. 这 64-mbit 是
有 在 56-含铅的 ssop (shrink 小 外形
包装) 和 µbga* 包装 (微观的 球 grid
排列). 这 32-mbit 是 有 在 56-含铅的 tsop
(薄的 小 外形 包装), 56-含铅的 ssop, 和
56-bump µbga 包装. 计算数量 2, 3, 和 4
显示 这 pinouts.
32-mbit: thirty-二
64-mbit: sixty-四
128-kbyte blocks
输入 缓存区
输出
多路调制器
y-gating
程序/擦掉
电压 转变
数据
比较器
状态
寄存器
Identifier
寄存器
数据
寄存器
i/o 逻辑
地址
获得
地址
计数器
x-解码器
y-解码器
输入 缓存区
输出 缓存区
地
V
CC
V
PEN
CE
0
CE
1
CE
2
WE#
OE#
RP#
BYTE#
Command
用户
接口
32-mbit: 一个
0
- 一个
21
64-mbit: 一个
0 -
一个
22
DQ
0
- dq
15
V
CC
写 缓存区
写 状态
机器
多路调制器
Query
STS
V
CCQ
CE
逻辑
0606_01
图示 1
. intel strataflash™ 记忆 块 图解
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