绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压, V
一个
6.5v
电压 在 任何 输入 管脚 −0.3v 至 (v
一个
+ 0.3v)
输入 电流 在 任何 管脚 (便条 3) 10 毫安
包装 输入 电流 (便条 3) 20 毫安
电源 消耗量 在 T
一个
= 25˚C 看 (便条 4)
静电释放 Susceptibility (便条 5)
人 身体 模型
机器 模型
2500V
250V
焊接 温度, infrared,
10 秒 (便条 6) 235˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
运行 比率
(注释 1, 2)
运行 温度 范围 −40˚C
≤
T
一个
≤
+105˚C
供应 电压, V
一个
+2.7v 至 5.5v
任何 输入 电压 (便条 7) −0.1 V 至 (v
一个
+ 0.1 v)
输出 加载 0 至 1500 pF
SCLK 频率 向上 至 30 MHz
包装 热的 抵制
包装
θ
JA
8-含铅的 MSOP 240˚c/w
6-含铅的 TSOT 250˚c/w
电的 特性
值 显示 在 这个 表格 是 设计 targets 和 是 主题 至 改变 在之前 产品 释放.
这 下列的 specifica-
tions 应用 为 V
一个
= +2.7v 至 +5.5v, R
L
=2k
Ω
至 地, C
L
= 200 pF 至 地, f
SCLK
= 30 mhz, 输入 代号 范围 12 至 1011.
黑体字 限制 应用 为 T
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
: 所有 其它 限制 T
一个
= 25˚c, 除非 否则 指定.
标识 参数 情况
典型
(便条 9)
限制
(便条 9)
单位
(限制)
静态的 效能
决议
10
位 (最小值)
Monotonicity
10
位 (最小值)
INL Integral 非-线性 在 Decimal 代号 12 至 1011
±
0.6
±
2.8
LSB (最大值)
DNL 差别的 非-线性
V
一个
= 2.7v 至 5.5v +0.15
+0.35
LSB (最大值)
−0.05
−0.2
LSB (最小值)
ZE 零 代号 错误 I
输出
= 0 +3.3
+15
mV (最大值)
FSE 全部-规模 错误 I
输出
= 0 −0.06
−1.0
%FSR
(最大值)
GE 增益 错误 所有 ones 承载 至 DAC 寄存器 −0.10
±
1.0
%FSR
(最大值)
ZCED 零 代号 错误 逐渐变化 −20 µv/˚c
TC GE 增益 错误 Tempco
V
一个
= 3V −0.7 ppm/˚c
V
一个
= 5V −1.0 ppm/˚c
输出 特性
输出 电压 范围 (便条 10)
0
V
一个
V (最小值)
V (最大值)
ZCO 零 代号 输出
V
一个
= 3v, I
输出
= 10 µA 1.8 mV
V
一个
= 3v, I
输出
= 100 µA 5.0 mV
V
一个
= 5v, I
输出
= 10 µA 3.7 mV
V
一个
= 5v, I
输出
= 100 µA 5.4 mV
FSO 全部 规模 输出
V
一个
= 3v, I
输出
= 10 µA 2.997 V
V
一个
= 3v, I
输出
= 100 µA 2.990 V
V
一个
= 5v, I
输出
= 10 µA 4.995 V
V
一个
= 5v, I
输出
= 100 µA 4.992 V
最大 加载 电容
R
L
=
∞
1500 pF
R
L
=2k
Ω
1500 pF
直流 输出 阻抗 1.3 Ohm
DAC101S101
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