DAC8222
–4–
rev. c
11. AGND 13. DB4
12. I
输出 一个
14. DB3
13. R
fb 一个
15. DB2
14. V
ref 一个
16. DB1
15. DGND 17. db0 (lsb)
16. db11(msb) 18.
dac 一个
/dac b
17. DB10 19.
LDAC
18. DB9 20.
WR
19. DB8 21. V
DD
10. DB7 22. V
ref b
11. DB6 23. R
fb b
12. DB5 24. I
输出 b
基质 (消逝 backside) 是 内部 连接 至 v
DD
.
dice 特性
消逝 大小 0.124
×
0.132 inch, 16,368 sq. 毫英寸
(3.15
×
3.55 mm, 10.56 sq. mm)
薄脆饼 测试 限制
(@ v
DD
= +5 v 或者 +15 v, v
ref 一个
= v
ref b
= +10 v, v
输出 一个
= v
输出 b
= 0 v; agnd = dgnd = 0 v; t
一个
= +25
c)
DAC8222G
参数 标识 情况 限制 单位
相关的 精度 INL endpoint 线性 错误
±
1lsb 最大值
差别的 非线性 DNL 所有 grades 是 有保证的 monotonic
±
1lsb 最大值
全部 规模 增益 错误
1
G
FSE
数字的 输入 = 1111 1111 1111
±
4lsb 最大值
输出 泄漏 数字的 输入 = 0000 0000 0000
±
50 na 最大值
(i
输出 一个
, i
输出 b
)i
LKG
焊盘 2 和 24
输入 阻抗
(v
ref 一个
, v
ref b
)r
REF
焊盘 4 和 22 8/15 k
Ω
最大值
输入 阻抗 相一致
∆
R
REF
±
1% 最大值
R
REF
数字的 输入 高 V
INH
V
DD
= +5 v 2.4 v 最小值
V
DD
= +15 v 13.5 v 最小值
数字的 输入 低 V
INL
V
DD
= +5 v 0.8 v 最大值
V
DD
= +15 v 1.5 v 最小值
数字的 输入 电流 I
在
V
在
= 0 v 或者 v
DD
; v
INL
或者 v
INH
±
1
µ
一个 最大值
供应 电流 I
DD
所有 数字的 输入 v
INL
或者 v
INH
2
所有 数字的 输入 0 v 或者 v
DD
0.1 毫安 最大值
直流 供应 拒绝 PSR
∆
V
DD
=
±
5% 0.002 %/% 最大值
(
∆
增益/
∆
V
DD
)
注释
1
量过的 使用 内部的 r
fb 一个
和 r
fb b
.
电的 tests 是 执行 在 薄脆饼 探查 至 这 限制 显示. 预定的 至 变化 在 组装 方法 和 正常的 yield 丧失, yield 之后 包装 是 不 有保证的
为 标准 产品 dice. 咨询 工厂 至 negotiate 规格 为基础 在 dice lot 资格 通过 样本 lot 组装 和 测试.
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