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资料编号:253934
 
资料名称:DALC208SC6
 
文件大小: 164.69K
   
说明
 
介绍:
LOW CAPACITANCE DIODE ARRAY
 
 


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pspice 模型
图示 a11 显示 这 pspice 模型 的 一个
dalc208sc6 cell. 在 这个 模型, 这 二极管 是
定义 用 这 pspice 参数 给 在 表格
在下 (图 a12).
便条:
这个 simulation 模型 是 有 仅有的 为 一个 包围的 tem-
perature 的 27°c.
这 simulations 完毕 (图. a13, a14, a15) 显示
那 这 pspice 模型 是 关闭 至 这 产品
行为.
DPOS DNEG
BV
99
CJO
7p 7p
IBV
1u 1u
IKF
28.357e-3 1000
118.78e-15 5.6524e-9
ISR
100e-12 472.3e-9
M
0.3333 0.3333
N
1.3334 2.413
NR
22
RS
0.68377 0.71677
VJ
0.6 0.6
图. a12:
pspice 参数.
Vref2
Vref1
i/o
Dpos
Dneg
0.3
0.5
0.8nh
1.45nh
0.8nh 0.3
图. a11:
pspice 模型 的 一个 dalc208sc6 cell.
0 50 100
0
10
20
30
40
50
60
t(ns)
电流 (一个) / 电压 (v)
电流
Surge
i/o
电压
图. a13a:
pspice 模型 simulation: surge > 0
iec 1000-4-2 联系 释放 回馈.
0 50 100
-50
-40
-30
-20
-10
0
t(ns)
电流 (一个) / 电压 (v)
电流
Surge
i/o
电压
图. a13b:
pspice 模型 simulation: surge < 0
iec 1000-4-2 联系 释放 回馈.
1 10 100 1,000
-30
-20
-10
0
f(mhz)
dBm
量过的
PSpice
图. a14:
attenuation comparison.
DALC208SC6
9/10
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