DALC112S1_集成电路资料查询网

标识 参数 值 单位
V
RRM
顶峰 反转 电压 每 二极管 18 V
T
stg
T
j
存储 温度范围
最大 接合面 温度
-55 至 + 150
150
°
C
°
C
绝对 最大 比率
(t
amb
=25
°
c).
标识 参数 典型值 最大值 单位
V
F
向前 电压 I
F
= 50 毫安 1.3 V
I
R
反转 泄漏 电流 每 二极管 V
R
=15V 2
µ
一个
C
输入 电容 在 线条 和 地
V
cc
= 5 v, V
RMS
= 30 mv, F = 1 MHz
(看 图示 1 在下)
7pF
电的 特性
(t
amb
=25
°
c).
典型 应用
Vcc
DALC112S1
图 1 :
输入 电容 度量
+V
CC
连接 在 REF1 和 REF2
输入 应用 :
Vcc = 5v, V
RMS
=30mv,f=1mhz
G
i/o
V
CC
REF2
REF1
DALC112S1
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标识参数值单位 V RRM 顶峰反转电压每二极管 18 V T stg T j 存储温度范围最大接合面温度 -55 至 + 150 150 ° C ° C 绝对最大比率 (t amb =25 ° c). 标识参数典型值最大值单位 V F 向前电压 I F = 50 毫安 1.3 V I R 反转泄漏电流每二极管 V R =15V 2 µ 一个 C 输入电容在线条和地 V cc = 5 v, V RMS = 30 mv, F = 1 MHz (看图示 1 在下) 7pF 电的特性 (t amb =25 ° c). 典型应用 Vcc DALC112S1 图 1 : 输入电容度量 +V CC 连接在 REF1 和 REF2 输入应用 : Vcc = 5v, V RMS =30mv,f=1mhz G i/o V CC REF2 REF1 DALC112S1 2/3

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