1
) leads 保持 在 包围的 温度 在 一个 距离 的 3 mm 从 情况
anschlußdrähte 在 3 mm abstand von gehäuse auf umgebungstemperatur gehalten
364
28.02.2002
dan 801 / dap 801 (200 mw)
小 信号 二极管 arrays dioden sätze mit allzweckdioden
名义上的 电源 消耗 200 mw
nenn-verlustleistung
repetitive 顶峰 反转 电压 80 v
periodische spitzensperrspannung
9 管脚-塑料 情况 24 x 3.5 x 6.6 [mm]
9 管脚-kunststoffgehäuse
重量 approx. – gewicht ca. 0.6 g
维度 / maße 在 mm
标准 包装: 大(量) 看 页 22
标准 lieferform: lose im karton s. seite 22
"dap": 一般 anodes / gemeinsame anoden "dan": 一般 cathodes / gemeinsame kathoden
最大 比率 Grenzwerte
类型
典型值
repetitive 顶峰 反转 电压
periodische spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
surge 顶峰 反转 电压
Stoßspitzensperrspannung
V
RSM
[V]
dan 801 80 80
dap 801 80 80
最大值 平均 向前 调整的 电流, r-加载, T
一个
= 25
C
为 一个 二极管 运作 仅有的 I
FAV
100 毫安
1
)
每 二极管 为 同时发生的 运作 I
FAV
25 毫安
1
)
dauergrenzstrom 在 einwegschaltung mit r-last, T
U
= 25
C
für eine einzelne 二极管 I
FAV
100 毫安
1
)
pro 二极管 bei gleichzeitigem betrieb I
FAV
25 毫安
1
)
顶峰 向前 surge 电流, 50 hz half sine-波 T
一个
= 25
CI
FSM
500 毫安
stoßstrom für eine 50 hz sinus-halbwelle
: 点此下载
