tps3836e18 / j25 / h30 / l30 / k33
tps3837e18 / j25 / l30 / k33, tps3838e18 / j25 / l30 / k33
nanopower supervisory 电路
SLVS292A
–
六月 2000
–
修订 january 2002
6
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
电的 特性 在 推荐 运行 情况 (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值
典型值
最大值 单位
重置
V
DD
= 3.3 v, I
OH
=
–
2 毫安
V 高 水平的 输出 电压
重置
(tps3836)
V
DD
= 6 v, I
OH
=
–
3 毫安
0.8
×
VV
OH
高-水平的 输出 电压
重置
V
DD
= 1.8 v, I
OH
=
–
1 毫安
0.8
×
V
DD
V
重置
(tps3837)
V
DD
= 3.3 v, I
OL
=
–
2 毫安
DD
重置
V
DD
= 1.8 v, I
OL
= 1 毫安
V 低 水平的 输出 电压
重置
(tps3836/8)
V
DD
= 3.3 v, I
OL
= 2 毫安
04 V
V
OL
低-水平的 输出 电压
重置
V
DD
= 3.3 v, I
OL
= 2 毫安
0.4 V
重置
(tps3837)
V
DD
= 6 v, I
OL
= 3 毫安
电源 向上 重置 电压
tps3836/8 V
DD
≥
1.1 v, I
OL
= 50
µ
一个 0.2
电源-向上 重置 电压
(看 便条 2)
TPS3837
V
DD
≥
1.1 v, I
OH
=
–
50
µ
一个
0.8
×
V
DD
V
TPS383xE18 1.66 1.71 1.74
Nti iitthhld
TPS383xJ25 2.182.252.29
V
它
负的-going 输入 门槛
电压 (看 便条 3)
TPS383xH30
T
一个
=
–
40
°
c 至 85
°
C
2.70 2.79 2.85
VV
它
电压 (看 便条 3)
TPS383xL30
T
一个
40 c 至 85 C
2.56 2.64 2.69
V
TPS383xK33 2.84 2.93 2.99
1.7 v < v
它
<
2.5 v 30
V
h
ys
hysteresis 在 v
DD
输入
2.5 v
<
V
它
< 3.5 v
40
mVV
hys
hysteresis 在 v
DD
在 ut
3.5 v < v
它
< 5 v 50
mV
I
IH
High-水平的 输入 电流
MR
(看 便条 4)
MR= 0.7
×
V
DD
, v
DD
= 6 v
–
40
–
60
–
100
µ
一个
I
IH
高 水平的 在 ut 电流
CT ct = v
DD
= 6 v
–
25 25 nA
I
IL
低-水平的 输入 电流
MR
(看 便条 4)
MR= 0 v, V
DD
= 6 v
–
130
–
200
–
340
µ
一个
I
IL
低 水平的 在 ut 电流
CT ct = 0 v, V
DD
= 6 v
–
25 25 nA
I
OH
高-水平的 输出 电流 TPS3838 V
DD
= v
它
+ 0.2 v, V
OH
= v
DD
25 nA
V
DD
> v
它
, v
DD
< 3 v 220 400
nA
I
DD
供应 电流
V
DD
> v
它
, v
DD
> 3 v
250 450
nA
I
DD
Su ly 电流
V
DD
< v
它
10 15
µ
一个
内部的 pullup 电阻 在 mr 30 k
Ω
C
I
输入 电容 在 mr, ct V
I
= 0 v 至 v
DD
5 pF
注释: 2. 这 最低 电压 在 这个 重置输出 变为 起作用的. t
r,
V
DD
≥
15
µ
s/v
3. 至 确保 最好的 稳固 的 这 门槛 电压, 一个 绕过 电容 (陶瓷的, 0.1
µ
f) 应当 是 放置 near 这 供应 终端.
4. 如果 手工的 重置 是 unused, mr
应当 是 连接 至 v
DD
至 降低 电流 消耗量.
: 点此下载
