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资料编号:258888
 
资料名称:DF5A6.8F
 
文件大小: 135.25K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Diodes for Protecting against ESD Epitaxial Planar Type
 
 


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df5a6.8f
2004-11-08
1
toshiba 二极管 为 protecting 相反 静电释放 外延的 planar 类型
df5a6.8f
二极管 为 protecting 相反 静电释放
这 挂载 的 二 设备 在 一个 过激-紧凑的 包装 准许 这
号码 的 部分 和 这 挂载 费用 至 是 减少.
这 齐纳 电压 corresponds 至 这 e24 序列.
最大 比率
(ta = 25
°
c)
典型的 标识 比率 单位
电源 消耗 P 200 MW
j
125
°
C
存储 温度 范围 T
stg
55~125
°
C
电的 特性
(ta = 25
°
c)
典型的 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
齐纳 电压 V
Z
I
Z
= 5 毫安 6.4 6.8 7.2 V
动态 阻抗 Z
Z
I
Z
= 5 毫安
10 25
knee 动态 阻抗 Z
ZK
I
Z
= 0.5 毫安
30
反转 电流 I
R
V
R
= 5 v
0.5 µa
终端 电容
(在 cathode 和 anode)
C
T
V
R
= 0, f = 1 mhz
45
pF
有保证的 水平的 的 静电释放 免除
测试 情况 静电释放 免除 水平的
iec61000-4-2
(联系 释放)
±
30kV
标准: 非 损坏 至 设备 elements
标记 相等的 电路
(顶 视图)
电子元件工业联合会
JEITA
TOSHIBA
1-3h1a
重量: 0.014 g (典型值.)
单位: mm
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