dg300(一个)/dg301(一个)/dg302(一个)/dg303(一个)
ttl 兼容 cmos 相似物 switches
2 _______________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
电的 特性
(v+ = +15v, v- = -15v, 地 = 0v, t
一个
= +25
°
c, 除非 否则 指出.)
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
电压 关联 至 v-
v+ (dg300
–
dg303)...............................................................36v
v+ (dg300a
–
dg303a) ..........................................................44v
地 .......................................................................................25v
数字的 输入, v
S
, v
D
, (便条 1).......................-4v 至 (v+ + 4v) 或者
30ma, whichever occurs 第一
电流, 任何 终端 除了 s 或者 d..................................30ma
持续的 电流, s 或者 d.................................................30ma
(搏动 在 1ms, 10% 职责 循环 最大值) ..........................100ma
存储 温度 (一个 &放大; b 后缀)...................-65
°
c 至 +150
°
C
(c 后缀).........................-65
°
c 至 +125
°
C
运行 温度 (一个 后缀)......................-55
°
c 至 +125
°
C
(b 后缀)........................-25
°
c 至 +85
°
C
(c 后缀)...........................0
°
c 至 +70
°
C
含铅的 温度 (焊接 10s) ..................................+300
°
C
电源 dissipation*
cerdip (k) (减额 11mw/
°
c 在之上 +75
°
c) ....................825mw
塑料 插件 (j) (减额 6.5mw/
°
c 在之上 +25
°
c) .............470mw
metal 能 (一个) (减额 6mw/
°
c 在之上 +75
°
c).................450mw
*
设备 挂载 和 所有 leads 焊接 或者 welded 至 pc 板.
DG300–DG303A
DG300A–DG303AA
dg300–dg303b/c
dg300a–dg303ab/c
参数 标识 测试 情况
最小值
(便条 2)
典型值
(便条 3)
最大值 最小值
(便条 2)
典型值
(便条 3)
最大值
单位
相似物 信号 范围 V
相似物
I
S
= 10ma, v
在
= 0.8v 或者 4.0v -15 +15 -15 +15 V
I
S
= -10ma, v
D
= 10v 30 50 30 50
流-源
在-阻抗
R
DS(在)
I
S
= -10ma, v
D
= -10v 30 50 30 50
Ω
V
S
= 14v, v
D
= -14v 0.1 1 0.1 5
源 止-
泄漏 电流
I
s(止)
V
S
= -14v, v
D
= 14v -1 -0.1 -5 -0.1
nA
V
S
= -14v, v
D
= 14v 0.1 1 0.1 5
流 止-
泄漏 电流
I
d(止)
V
S
= 14v, v
D
= -14v -1 -0.1 -5 -0.1
nA
V
D
= v
S
= 14v 0.1 2 0.1 5
转变
流 在-
泄漏 电流
I
d(在)
V
在
= 0.8v
或者
V
在
= 0.8v
V
D
= v
S
= -14v -2 -0.1 -5 -0.1
nA
V
在
= 5.0v -1 -0.001 -1 -0.001
输入 电流/
电压 高
I
INH
V
在
= 15v 0.001 1 0.001 1
µA
输入
输入 电流/
电压 低
I
INL
V
在
= 0v -1 -0.001 -1 -0.001 µA
转变-在 时间 t
在
150 300 150 300 ns
转变-止 时间 t
止
看 切换 时间 测试 电路
130 250 130 250 ns
破裂-在之前-制造
间隔
t
在
- t
止
看 破裂-在之前-制造 时间 测试
电路, dg301(一个)/dg303(一个) 仅有的
50 50 ns
承担 injection Q
C
L
= 10nf, r
GEN
= 0
Ω
, v
GEN
= 0v
12 12 pC
源 止-
电容
C
s(止)
V
S
= 0v 14 14 pF
流 止-
电容
C
d(止)
V
D
= 0v 14 14 pF
频道 在-
电容
C
d(在)
+
C
s(在)
f = 1mhz,
V
在
= 0.8v
或者
V
在
= 4.0v
V
S
= vd = 0v 40 40 pF
V
在
= 0v 6 6
输入 电容 C
在
f = 1mhz
V
在
= 15v 7 7
pF
止-分开 (便条 4) 62 62 dB
动态
串扰
(频道-至-频道)
V
在
= 0v, r
L
= 1k
Ω
V
S
= 1v
RMS
, f = 500khz 74 74 dB
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