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dg300(一个)/dg301(一个)/dg302(一个)/dg303(一个)
ttl 兼容 cmos 相似物 switches
_______________________________________________________________________________________ 5
+15V
地 v-
-15v
V+
在
S0
逻辑
输入
V
O
转变
输出
R
L
300
Ω
C
L
33pF
V
S
= 3v
逻辑 "1" = 转变 在
+4V
V
IHN
50%
逻辑
输入
t
R
< 20ns
t
F
< 20ns
转变
输出
0V
V
S
0V
90%
10%
t
在
t
止
图示 3. 切换 时间 测试 电路
+15V
地 v-
-15v
V+
在
S
2
S
1
D
2
D
1
逻辑
输入
V
O1
V
O2
转变
输出
R
L2
300
Ω
R
L1
300
Ω
C
L2
33pF
C
L1
33pF
V
S1
= 3v
V
S2
= 3v
逻辑 "1" = 转变 在
+4V
V
IHN
50%
0V
50%
50%
逻辑
输入
转变
输出
转变
输出
0V
0V
V
S2
V
S1
V
O1
V
O2
t
BBM
图示 2. 破裂-在之前-制造 时间 测试 电路 spdt (dg301(一个), dg303(一个)
S
X
D
X
在
X
R
GEN
V
GEN
V
O
C
L
10nF
∆
V
O
在
V
O
在
在
X
+4V
∆
V
O
=
∆
量过的 电压 错误 预定的 至 承担 injection
这 错误 电压 在 coulombs 是
∆
q = c
L
x
∆
V
O
.
0V
止
图示 1. 承担 injection 测试 电路
测试 电路

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dg300(一个)/dg301(一个)/dg302(一个)/dg303(一个) ttl 兼容 cmos 相似物 switches _______________________________________________________________________________________ 5 +15V 地 v- -15v V+ 在 S0 逻辑输入 V O 转变输出 R L 300 Ω C L 33pF V S = 3v 逻辑 "1" = 转变在 +4V V IHN 50% 逻辑输入 t R < 20ns t F < 20ns 转变输出 0V V S 0V 90% 10% t 在 t 止图示 3. 切换时间测试电路 +15V 地 v- -15v V+ 在 S 2 S 1 D 2 D 1 逻辑输入 V O1 V O2 转变输出 R L2 300 Ω R L1 300 Ω C L2 33pF C L1 33pF V S1 = 3v V S2 = 3v 逻辑 "1" = 转变在 +4V V IHN 50% 0V 50% 50% 逻辑输入转变输出转变输出 0V 0V V S2 V S1 V O1 V O2 t BBM 图示 2. 破裂-在之前-制造时间测试电路 spdt (dg301(一个), dg303(一个) S X D X 在 X R GEN V GEN V O C L 10nF ∆ V O 在 V O 在在 X +4V ∆ V O = ∆ 量过的电压错误预定的至承担 injection 这错误电压在 coulombs 是 ∆ q = c L x ∆ V O . 0V 止图示 1. 承担 injection 测试电路测试电路

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