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dg333a/333al
vishay siliconix
文档 号码:  70803
s-52433—rev. b, 06-sep-99
www.vishay.com
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faxback 408-970-5600
4-7
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1
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地
V
O
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2
, 在
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和 在
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图示  2.
切换 时间
50%
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3 v
t
打开
t
打开
t
在
t
止
V
O
V
在
3 v
C
L
35 pf
图示  3.
破裂-在之前-制造
0 v
逻辑
输入
3 v
50%
0 v
0 v
90%
90%
V
D
V
D
t
D
t
D
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R
L
= 300
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L
= 35  pf
C
L
(包含 fixture 和 偏离 电容)
R
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C
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D
在
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2

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R
L2
S
1
V
O1
C
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V
O1
V
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V+
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在
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地 V–
C
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D
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V
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L
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分析器
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图示  4.
止 分开
c = rf 绕过
V+
+15 v

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内　容:
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dg333a/333al vishay siliconix 文档号码: 70803 s-52433—rev. b, 06-sep-99 www.vishay.com  faxback 408-970-5600 4-7   0 v 0 v +10 v –10 v t r <20 ns t f <20 ns t 止 t 在 50% R L 300  在 1 V– –10 v +10 v S 2 V+ S 1 D 1 –15 v 地 V O +15 v repeat 测试为在 2 , 在 3 和在 4 图示 2. 切换时间 50% 50% 3 v t 打开 t 打开 t 在 t 止 V O V 在 3 v C L 35 pf 图示 3. 破裂-在之前-制造 0 v 逻辑输入 3 v 50% 0 v 0 v 90% 90% V D V D t D t D V O2 R L = 300  , c L = 35 pf C L (包含 fixture 和偏离电容) R L1 C L1 V– D 在 S 2  10 v R L2 S 1 V O1 C L2 –15 v 地 V O1 V O2 V+ +15 v 在 –15 v 地 V– C S 0v, 2.4 v C D 止分开  20 log V S V D R L 100  分析器 ch 一个 ch b 图示 4. 止分开 c = rf 绕过 V+ +15 v

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