dg417b/418b/419b
vishay siliconix
新 产品
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4
文档 号码:72107
s-31538—rev. b, 11-8月-03
规格
一个
为 单极的 供应
测试 情况
除非 否则 指定
一个 后缀
-55 至 125
C
d 后缀
-40 至 85
C
参数 标识
v+ = 12 v, v-= 0 v
V
L
= 5 v, v
在
= 2.4 v, 0.8 v
f
温度
b
Typ
c
最小值
d
最大值
d
最小值
d
最大值
d
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围
e
V
相似物
全部 0 12 0 12 V
流-源
在-阻抗
r
ds(在)
I
S
=-10 毫安, v
D
= 3.8 v
v+ = 10.8 v
房间
全部
26
35
52
35
45
动态 特性
转变-在 时间 t
在
R
L
= 300
, c
L
= 35pf,V
S
= 8 v
房间
全部
100
125
155
125
143
转变-止 时间 t
止
R
L
= 300
,C
L
= 35 pf,V
S
= 8 v
看 切换 时间 测试 电路
房间
全部
38
66
73
66
69
ns
破裂-在之前-制造
时间 延迟
t
D
R
L
= 300
, c
L
= 35 pf
DG419B 房间 62 25 25
ns
转变 时间 t
RANS
R
L
= 300
, c
L
= 35 pf
V
S1
= 0 v, 8 v, v
S2
= 8 v, 0 v
房间
全部
95
119
153
119
141
承担 injection Q
C
L
= 10 nf, v
gen
= 0 v, r
gen
= 0
房间 3 pC
电源 供应
积极的 供应
电流
I+
房间
全部
0.001
1
5
1
5
负的 供应
电流
i-
v+ = 13.2 v, v
L
= 5.25 v
房间 -0.001
-1
-5
-1
-5
一个
逻辑 供应 电流 I
L
v+ = 13.2 v,V
L
= 5.25 v
V
在
= 0 或者 5 v
房间 0.001
1
5
1
5
一个
地面 电流 I
地
房间 -0.001
-1
-5
-1
-5
注释:
一个. 谈及 至 处理 选项 flowchart.
b. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 sheet.
e. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
f. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
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