dg535/536
vishay siliconix
文档 号码: 70070
s-02315
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rev. d, 05-oct-00
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5-5
逻辑 输入 切换 门槛
vs. 供应 电压 (v+)
供应 电流 vs.
供应 电压 和 温度
调整 输入 串扰 vs. 频率
–
3 db 带宽 嵌入 丧失 vs. 频率
I
d(在)
vs. 温度 泄漏 电流 vs. 温度
(v)
th
V
i+ ( 一个)
–
泄漏I
, i
SD
(db)
表达(ai)
X
嵌入 丧失 (db)
V+
–
积极的 供应 (v) V+
–
积极的 供应 (v)
温度 (
c) 温度 (
c)
f
–
频率 (mhz) f
–
频率 (mhz)
–
55
–
35
–
15 5 25 45 65 85 105 125
–
55
–
35
–
15 5 25 45 65 85 105 125
10
8
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10 12 14 16 18
14
0
10 11
12 13 14 15 16 17 18
12
10
8
6
4
2
地 = 0 v
地 = 0 v
T
一个
= 25
C
125
C
25
C
–
55
C
v+ = +15 v
地 = 0 v
V
D
= v
S
= 3 v
v+ = +15 v
地 = 0 v
I
d(止)
I
s(止)
100 na
10 na
1 na
100 pa
10 pa
1 pa
1
一个
100 na
10 na
1 na
100 pa
10 pa
1 pa
0.1 1 10 100
–
120
–
100
–
80
–
60
–
40
–
20
0
DG536
R
在
= 10
测试 电路
看 图示 10
DG535
R
在
= 10
1 10 100 1000
–
3 db 点
DG535
DG536
测试 电路
看 图示 6
R
L
= 50
0
–
20
–
4
–
8
–
12
–
16
–
泄漏I
d(在)
DG536
R
在
= 75
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