dg540/541/542
8 Siliconix
s-53694—rev. e, 28-将-97
测试 电路 (内容’d)
S
2
S
3
S
4
X
表达(ah)
20 log
10
V
输出
V
在
V
O
10
R
L
75
在
X
S
1
V+
V–
+15 v
–15 v
C
C
地
2.4 v
D
2
D
3
D
1
D
4
R
L
R
L
R
L
图示 6.
所有 不利的 串扰
产品
设备 描述
这 dg540/541/542 家族 的 wideband switches 提供
真实 双向的 切换 的 高 频率 相似物 或者
数字的 信号 和 最小 信号 串扰, 低 嵌入
丧失, 和 negligible 非-线性 扭曲量 和 组
延迟.
建造 在 这 siliconix d/cmos 处理, 这些 “t” switches
提供 极好的 止-分开 和 一个 带宽 的 周围
500 mhz (350 mhz 为 dg541). 硅-门 d/cmos
处理 也 产量 快 切换 speeds.
一个 在-碎片 调整器 电路 维持 ttl 输入
兼容性 在 这 全部的 运行 供应 电压
范围, easing 控制 逻辑 接合.
电路 布局 是 facilitated 用 这 interchangeability 的
源 和 流 terminals.
频率 回馈
一个 单独的 转变 在-频道 exhibits 两个都 阻抗
[r
ds(在)
] 和 电容 [c
s(在)
]. 这个 rc 结合体 有
一个 attenuation 效应 在 这 相似物 信号 – 这个 是
频率 依赖 (像 一个 rc 低-通过 过滤). 这
–3-db 带宽 的 这 dg540 是 典型地 500 mhz (在
50
这个 量过的 图示 的 500
mhz illustrates 那
这 转变 频道 能 不 是 represented 用 一个 二 平台 rc
结合体. 这 在 电容 的 这 频道 是
distributed along 这 在-阻抗, 和 hence 变为 一个
更多 complex multi 平台 网络 的 r’s 和 c’s 制造
向上 这 总的 r
ds(在)
和 c
s(在)
. 看 应用 便条 an502
为 更多 详细信息.
止-分开 和 串扰
止-分开 和 串扰 是 影响 用 这 加载
阻抗 和 parasitic inter-electrode capacitances.
高等级的 止-分开 是 达到 和 更小的 值 的 r
L
.
不管怎样, 低 值 的 r
L
增加 嵌入 丧失 需要
增益 adjustments 向下 这 线条. 偏离 capacitances, 甚至 一个
fraction 的 1 pf, 能 导致 一个 大 串扰 增加. 好的
布局 和 地面 防护 技巧 能 非常
改进 your 交流 电路 效能.
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