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资料编号:260353
 
资料名称:DG509AAK
 
文件大小: 1122.42K
   
说明
 
介绍:
Monolithic CMOS Analog Multiplexers
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
大而单一的 cmos 相似物 multiplexers
2 _______________________________________________________________________________________
绝对 最大 比率
电的 特性
(v+ = 15v, v- = -15v, 地 = ov,
T
一个
= +25°c
, 除非 否则 指出.)
压力 在之外 那些 列表 下面 “absolute 最大 ratings” 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的, 和 函数的
运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这 规格 是 不 暗指. 暴露 至
绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
电压 关联 至 v-
V+ ....................................................................................+44v
................................................................................ +25V
数字的 输入, v
S
和 v
D
(便条 1)..................-2v 至 (v+ + 2v)
或者 20ma, whichever occurs 第一
电流 (任何 终端, 除了 s 或者 d) .................................30ma
持续的 电流, s 或者 d.................................................20ma
顶峰 电流, s 或者 d (搏动 在 1ms, 10% 职责 循环 最大值) ..40ma
持续的 电源 消耗 (t
一个
= +70
°
c)
塑料 插件 (减额 10.53mw/
°
c 在之上 +70
°
c) ..........842mw
qfn (减额 19.2mw/
°
c 在之上 +70
°
c) ....................1538mw
narrow 所以 (减额 8.70mwi
°
c 在之上 +70
°
c) ............696mw
宽 所以 (减额 9.52mw/
°
c 在之上 +70
°
c)................762mw
cerdip (减额 10.00mw/
°
c 在之上 +70
°
c)...............800mw
运行 温度 范围:
dg50_acj/cwe/cge ........................................0
°
c 至 +70
°
C
dg50_abk ......................................................-20
°
c 至 +85
°
C
dgs0_adj/dy/ewe/ege ................................-40
°
c 至 +85
°
C
dg50_aak ....................................................-55
°
c 至 +125
°
C
存储 温度 范围 .............................-65
°
c 至 +150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10s) .................................+300
°
C
dg508a/dg509a
便条 1:
信号 在 s_, d_, 或者 在_ exceeding v+ 或者 v- 是 clamped 用 内部的 diodes. 限制 forward-diode 电流 至 最大 电流
比率
DG508AA
DG509AA
dg508ad/e/b/c
dg509ad/e/b/c
参数 标识 情况
最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值
单位
转变
AnalogSignalRangeV
相似物
-15 +15 -15 +15 V
V
D
= 10v,
I
S
= -200µa
170 300 170 350
流-源 在-
阻抗
R
DS(在)
sequence 各自
转变 在,
V
AL
= 0.8v,
V
AH
= 2.4v
(便条 4)
V
D
= 10v,
I
S
= -200µa
130 300 130 350
greatest 改变 在
流-源 在-
阻抗
在 途径
R
DS(在)
R
ds(在)
=
-10v
V
S
10V
66%
V
S
= 10v, v
D
= -10v 0.002 0.5 0.002 1
源 止-
泄漏 电流
I
s()
V
EN
= 0v
V
S
= -10v, v
D
= 10v -0.5 -0.005 -1 -0.005
nA
V
D
= 10v, v
S
= -10v 0.01 2 0.01 5
DG508A
V
D
= 10v, v
S
= -10v -2 -0.015 -5 -0.015
V
D
= 10v, v
S
= -10v 0.005 2 0.005 5
Drain off-
Leakage
Current
DG509A
I
d()
V
EN
= 0v
V
D
= -10v, v
S
= 10v -2 -0.008 -5 -0.008
nA
V
s(所有)
= v
D
= 10v 0.015 2 0.015 5
DG508A
V
s(所有)
= v
D
= -10v -2 -0.03 -5 -0.03
V
s(所有)
= v
D
= 10v 0.007 2 0.007 5
Drain on-
Leakage
Current
DG509A
I
d(在)
sequence 各自
转变 在,
V
AL
= 0.8v
V
AH
= 2.4v
(便条 2)
V
s(所有)
= v
D
= -10v -2 -0.015 -5 -0.015
nA
RR
R
DS DS
DS
() ()
()
最大值 最小值
,
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