dg540/541/542
4 Siliconix
s-53694—rev. e, 28-将-97
规格
一个
测试 情况
除非 指定
V+ 15 V V 3 V
一个 后缀
–55 至 125
C
d suffixes
–40 至 85
C
参数 标识
v+ = 15 v, v– = –3 v
V
INH
= 2 v, v
INL
= 0.8 v
f
温度
b
Typ
c
最小值
d
最大值
d
最小值
d
最大值
d
单位
相似物 转变
相似物 信号 范围 V
相似物
v– = –5 v, v+ = 12 v 全部 –5 5 –5 5 V
流-源
在-阻抗
r
ds(在)
I
S
= –10 毫安, v
D
= 0 v
房间
全部
30 60
100
60
75
r
ds(在)
相一致
r
ds(在)
S
,
D
房间 2 6 6
源 止
泄漏 电流
I
s(止)
V
S
= 0 v, v
D
= 10 v
房间
全部
–0.05 –10
–500
10
500
–10
–100
10
100
流 止
泄漏 电流
I
d(止)
V
S
= 10 v, v
D
= 0 v
房间
全部
–0.05 –10
–500
10
500
–10
–100
10
100
nA
频道 在
泄漏 电流
I
d(在)
V
S
= v
D
= 0 v
房间
全部
–0.05 –10
–1000
10
1000
–10
–100
10
100
数字的 控制
输入 电压 高 V
INH
全部 2 2
V
输入 电压 低 V
INL
全部 0.8 0.8
V
输入 电流 I
在
V
在
= 地 或者 v+
房间
全部
0.05 –1
–20
1
20
–1
–20
1
20
一个
动态 特性
在 状态 输入 电容
e
C
s(在)
V
S
= v
D
= 0 v 房间 14 20 20
止 状态 输入 电容
e
C
s(止)
V
S
= 0 v 房间 2 4 4
pF
止 状态 输出 电容
e
C
d(止)
V
D
= 0 v 房间 2 4 4
带宽 BW R
L
= 50
, 看 图示 5 房间 500 MHz
转变 在 时间 t
在
DG540
DG541
房间
全部
45 70
130
70
130
转变 在 时间 t
在
R
L
= 1 k
C
L
= 35 pf
DG542
房间
全部
55 100
160
100
160
ns
转变 止 时间 t
止
L
p
50% 至 90%
看 图示 2
DG540
DG541
房间
全部
20 50
85
50
85
ns
转变 止 时间 t
止
DG542
房间
全部
25 60
85
60
85
承担 injection Q
C
L
= 1000 pf, v
S
= 0 v
看 图示 3
房间 –25 pC
R
在
= 75
R75
DG540 房间 –80
止 分开 OIRR
R
L
= 75
f = 5 mhz
DG541 房间 –60
f = 5 mhz
看 图示 4
DG542 房间 –75
dB
所有 不利的 串扰 X
表达(ah)
R
在
= 10
, r
L
= 75
f = 5 mhz, 看 图示 6
房间 –85
电源 供应
积极的 供应 电流 I+
所有 途径 在 或者 止
房间
全部
3.5 6
9
6
9
毫安
负的 供应 电流 I–
所有 途径 在 或者 止
房间
全部
–3.2 –6
–9
–6
–9
毫安
注释:
一个. 谈及 至 处理 选项 flowchart.
b. 房间 = 25
c, 全部 = 作 决定 用 这 运行 温度 后缀.
c. 典型 值 是 为 设计 aid 仅有的, 不 有保证的 也不 主题 至 生产 测试.
d. 这 algebraic convention 凭此 这 大多数 负的 值 是 一个 最小 和 这 大多数 积极的 一个 最大, 是 使用 在 这个 数据 薄板.
e. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
f. V
在
= 输入 电压 至 执行 恰当的 函数.
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