DG506ACY_集成电路资料查询网

9
图示 4c. 承担 INJECTION 波形
图示 4. 承担 INJECTION
测试 电路 和 波形
(持续)
3V
EN
0
V
O
∆
V
O
∆
V
O
是 这 量过的 电压 错误 预定的 至 承担 injection.
这 承担 转移 错误 在 Coulombs 是 Q = C
L
x
∆
V
O
.
典型 效能 曲线
图示 5. r
ds(在)
vs 相似物 信号 电压 vs
供应 电压
图示 6. 典型 r
ds(在)
变化 和 温度
相似物 信号 电压 (v)
550
-10 -5 0 5 10 15
r
ds(在)
(
Ω
)
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
-15
V+ = +15v, v- = -15v
V+ = +10v, v- = -10v
V+ = +12v, v- = -12v
v+=+7.5v,v-=-7.5v
温度 (
o
c)
-25 0 45 70 100 125-55 20
r
ds(在)
(
Ω
)
V+ = +15V v- = -15v
V
EN
=2.4v
I
O
=-200
µ
一个
+10V 信号
-10v 信号
400
300
200
100
0
dg506a, dg507a, DG509A

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

9 图示 4c. 承担 INJECTION 波形图示 4. 承担 INJECTION 测试电路和波形 (持续) 3V EN 0 V O ∆ V O ∆ V O 是这量过的电压错误预定的至承担 injection. 这承担转移错误在 Coulombs 是 Q = C L x ∆ V O . 典型效能曲线图示 5. r ds(在) vs 相似物信号电压 vs 供应电压图示 6. 典型 r ds(在) 变化和温度相似物信号电压 (v) 550 -10 -5 0 5 10 15 r ds(在) ( Ω ) 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 0 -15 V+ = +15v, v- = -15v V+ = +10v, v- = -10v V+ = +12v, v- = -12v v+=+7.5v,v-=-7.5v 温度 ( o c) -25 0 45 70 100 125-55 20 r ds(在) ( Ω ) V+ = +15V v- = -15v V EN =2.4v I O =-200 µ 一个 +10V 信号 -10v 信号 400 300 200 100 0 dg506a, dg507a, DG509A

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com