mc74hc4851a, mc74hc4852a
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
最大 ratings*
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
标识
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
参数
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
值
ÎÎÎ
ÎÎÎ
单位
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
积极的 直流 供应 电压 (关联 至 地)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 至 + 7.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
在
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
直流 输入 电压 (任何 管脚) (关联 至 地)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 0.5 至 v
CC
+ 0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
I
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
直流 电流, 在 或者 输出 的 任何 管脚
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
±
25
ÎÎÎ
ÎÎÎ
毫安
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
P
D
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
电源 消耗 在 安静的 空气, 塑料 dip†
soic package†
tssop package†
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
750
500
450
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎ
mW
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
stg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
存储 温度 范围
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
– 65 至 + 150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
L
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
含铅的 温度, 1 mm 从 情况 为 10 秒
塑料 插件, soic 或者 tssop 包装
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
260
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎ
_
C
*maximum 比率 是 那些 值 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 这 推荐 运行 情况.
†Derating — 塑料 插件: – 10 mw/
_
c 从 65
_
至 125
_
C
soic 包装: – 7 mw/
_
c 从 65
_
至 125
_
C
tssop 包装: – 6.1 mw/
_
c 从 65
_
至 125
_
C
为 高 频率 或者 重的 加载 仔细考虑, 看 chapter 2 的 这 在 半导体 high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
推荐 运行 情况
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
标识
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
参数
ÎÎÎ
ÎÎÎ
最小值
ÎÎ
ÎÎ
最大值
ÎÎÎ
ÎÎÎ
单位
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
CC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
积极的 直流 供应 电压 (关联 至 地)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.0
ÎÎ
ÎÎ
6.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
在
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
直流 输入 电压 (任何 管脚) (关联 至 地)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
地
ÎÎ
ÎÎ
V
CC
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
V
IO
*
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
静态的 或者 动态 电压 横过 转变
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.0
ÎÎ
ÎÎ
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
V
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
T
一个
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
运行 温度 范围, 所有 包装 类型
ÎÎÎ
ÎÎÎ
– 55
ÎÎ
ÎÎ
+ 125
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
t
r
, t
f
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
输入 上升/下降 时间 V
CC
= 2.0 v
(频道 选择 或者 使能 输入) V
CC
= 4.5 v
V
CC
= 6.0 v
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎ
0
0
0
ÎÎ
ÎÎ
ÎÎ
1000
500
400
ÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎ
ns
*for 电压 drops 横过 转变 更好 比 1.2v (转变 在), 过度的 v
CC
电流 将 是
描绘; i.e., 这 电流 输出 的 这 转变 将 包含 两个都 v
CC
和 转变 输入 组件.
这 可靠性 的 这 设备 将 是 unaffected 除非 这 最大 比率 是 超过.
直流 特性
—
数字的 部分
(电压 关联 至 地) v
EE
= 地, 除了 在哪里 指出
V
CC
有保证的 限制
标识 参数 情况
V
CC
V
–55 至 25
°
C
≤
85
°
C
≤
125
°
C
单位
V
IH
最小 high–level 输入
电压, channel–select 或者 使能
输入
R
在
= 每 规格 2.0
3.0
4.5
6.0
1.50
2.10
3.15
4.20
1.50
2.10
3.15
4.20
1.50
2.10
3.15
4.20
V
V
IL
最大 low–level 输入
电压, channel–select 或者 使能
输入
R
在
= 每 规格 2.0
3.0
4.5
6.0
0.50
0.90
1.35
1.80
0.50
0.90
1.35
1.80
0.50
0.90
1.35
1.80
V
I
在
最大 输入 泄漏 电流
在 数字的 管脚 (使能/一个/b/c)
V
在
= v
CC
或者 地 6.0
±
0.1
±
1.0
±
1.0
µ
一个
I
CC
最大 安静的 供应
电流 (每 包装)
V
在(数字的)
= v
CC
或者 地
V
在(相似物)
= 地
6.0 2 20 40
µ
一个
便条: 信息 在 典型 参数 值 能 是 建立 在 chapter 2 的 这 在 semiconductor high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
这个 设备 包含 保护
电路系统 至 守卫 相反 损坏
预定的 至 高 静态的 电压 或者 electric
地方. 不管怎样, 预防措施 必须
是 带去 至 避免 产品 的 任何
电压 高等级的 比 最大 评估
电压 至 这个 high–impedance cir-
cuit. 为 恰当的 运作, v
在
和
V
输出
应当 是 constrained 至 这
范围 地
v
(v
在
或者 v
输出
)
v
V
CC
.
unused 输入 必须 总是 是
系 至 一个 适合的 逻辑 电压
水平的 (e.g., 也 地 或者 v
CC
).
unused 输出 必须 是 left 打开.
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