日期: 5/25/04 sp691a/693a/800l/800m 低 电源 微处理器 supervisor 和 电池 转变-在 © 版权 2004 sipex 公司
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这些 是 压力 比率 仅有的 和 函数的 运作
的 这 设备 在 这些 比率 或者 任何 其它 在之上 那些
表明 在 这 运作 sections 的 这 规格
在下 是 不 暗指. 暴露 至 绝对 最大
比率 情况 为 扩展 时期 的 时间 将
影响 可靠性.
终端 电压 (和 遵守 至 地)
V
CC
.......................................................................................-0.3v 至 +6v
V
BATT
.....................................................................................-0.3v 至 +6v
所有 其它 输入........................................................-0.3v 至 (v
CC
+0.3v)
输入 电流
V
CC
顶峰...........................................................................................1.0a
V
CC
持续的.............................................................................250ma
V
BATT
顶峰....................................................................................250mA
V
BATT
持续的............................................................................25mA
地, batt 在............................................................................100ma
所有 其它 输入..............................................................................25mA
V
CC
= +4.75v 至 +5.5v 为 这
sp691a/800l
, v
CC
= +4.5v 至 +5.5v 为 这
sp693a/800m
, v
BATT
= +2.8v, 和 t
AMB
= t
最小值
至 t
最大值
除非 否则
指出. 典型 值 应用 在 t
AMB
=+25
O
c.
SRETEMARAp.NIm.PYt.XAMSTIN美国NOITIDNOC
,egnaregatlovgnitarepo
V
CC
Vro
TTAB
1eton,
05.5V
v,egatlovtuptuo
TUO
edoMgnitarepOlamroNni
V
CC
50.0-
V
CC
3.0-
V
CC
2.0-
V
CC
510.0-
V
CC
51.0-
V
CC
90.0-
V
V
CC
i,v5.4=
TUO
Am52=
V
CC
i,v5.4=
TUO
Am052=
V
CC
v,v0.3=
TTAB
i,v8.2=
TUO
Am001=
V
CC
v-ot-
TUO
ecnatsiser-nO6.0
9.0
2.1
0.2
Ω
V
CC
v5.4=
V
CC
v0.3=
V
TUO
edompukcab-yrettabniV
TTAB
3.0-
V
TTAB
52.0-
V
TTAB
51.0-
V
TTAB
1.0-
V
TTAB
70.0-
V
TTAB
50.0-
V
V
TTAB
i,v5.4=
TUO
Am02=
V
TTAB
i,v8.2=
TUO
Am01=
V
TTAB
i,v0.2=
TUO
Am5=
V
TTAB
v-ot-
TUO
ecnatsiser-nO5
7
01
51
52
03
Ω
V
TTAB
v5.4=
V
TTAB
v8.2=
V
TTAB
v0.2=
lamroNnitnerruCylppuS
i,edomgnitarepo
ccV
5306
µ
一个
V
CC
v(>
TTAB
ignidulcxe,)v1-
TUO
-yrettabnitnerrucylppus
i,edompukcab
TTAB
2eton,
100.00.2
µ
一个
V
CC
v(<
TTAB
v,)v2.1-
TTAB
ignidulcxe,v8.2=
TUO
V
TTAB
i,tnerrucybdnats
TTAB
,
3ETON
1.0-20.0
µ
一个
V
CC
> v(
TTAB
ignidulcxe,)v2.0+
TUO
dlohserhTrevohctiwSyrettaBV
TTAB
30.0+
V
TTAB
30.0-
V
pu-rewop
nwod-rewop
siseretsyHrevohctiwSyrettaB06
Vm
kaePotkaeP
绝对 最大 比率
电的 特性
增强 静电释放 规格........................+4kv 人 身体 模型
电源 消耗 每 包装
16-管脚 pdip (减额 14.3mw/
O
c 在之上 +70
O
c).......................1150mw
16-管脚 narrow soic (减额 13.6mw/
O
c 在之上 70
O
c)............1090mw
16-管脚 宽 soic (减额 11.2mw/
O
c 在之上 70
O
c).................900mw
存储 温度....................................................-65
O
c 至 +150
O
C
含铅的 温度 (焊接,10 秒).........................................+300
O
C
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