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资料编号:265064
 
资料名称:DN2540N5
 
文件大小: 90.02K
   
说明
 
介绍:
N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2
90%
10%
90%
90%
10%
10%
脉冲波
发生器
V
DD
R
L
输出
d.u.t.
t
(在)
t
d(在)
t
(止)
t
d(止)
t
F
t
r
输入
输入
输出
0V
V
DD
R
gen
0V
-10v
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 情况
BV
DSX
DN2540 400 V V
GS
= -5v, i
D
= 100
µ
一个
DN2535 350
V
gs(止)
门-至-源 止 电压 –1.5 –3.5 V V
DS
= 25v, i
D
= 10
µ
一个
V
gs(止)
改变 在 v
gs(止)
和 温度 4.5 mv/
°
CV
DS
= 25v, i
D
= 10
µ
一个
I
GSS
门 身体 泄漏 电流 100 nA V
GS
=
±
20v, v
DS
= 0v
I
d(止)
流-至-源 泄漏 电流 10
µ
AV
GS
= -10v, v
DS
= 最大值 比率
1mAV
GS
= -10v, v
DS
= 0.8 最大值 比率
T
一个
= 125
°
C
I
DSS
saturated 流-至-源 电流 150 毫安 V
GS
= 0v, v
DS
= 25v
R
ds(在)
静态的 流-至-源 17 25
V
GS
= 0v, i
D
= 120ma
在-状态 阻抗
R
ds(在)
改变 在 r
ds(在)
和 温度 1.1 %/
°
CV
GS
= 0v, i
D
= 120ma
G
FS
向前 跨导 325 m I
D
= 100ma, v
DS
= 10v
C
ISS
输入 电容 200 300 V
GS
= -10v, v
DS
= 25v
C
OSS
一般 源 输出 电容 12 30 pF f = 1 mhz
C
RSS
反转 转移 电容 1 5
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 10 V
DD
= 25v,
t
r
上升 时间 15 ns I
D
= 150ma,
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 15 R
GEN
= 25
t
f
下降 时间 20
V
SD
二极管 向前 电压 漏出 1.8 V V
GS
= -10v, i
SD
= 120ma
t
rr
反转 恢复 时间 800 ns V
GS
= -10v, i
SD
= 1a
注释:
1. 所有 d.c. 参数 100% 测试 在 25
°
c 除非 否则 陈述. (脉冲波 测试: 300
µ
s 脉冲波, 2% 职责 循环.)
2. 所有 一个.c. 参数 样本 测试.
电的 特性
(@ 25
°
c 除非 否则 指定)
流-至-源
损坏 电压
切换 波形 和 测试 电路
dn2535/dn2540
包装 I
D
(持续的)* I
D
(搏动) 电源 消耗
θθ
θθ
θ
jc
θθ
θθ
θ
ja
I
DR
*I
DRM
@ t
C
= 25
°
C
°
c/w
°
c/w
至-92 120mA 500mA 1.0w 125 170 120mA 500mA
至-220 500mA 500mA 15.0w 8.3 70 500mA 500mA
至-243aa 170mA 500mA 1.6w (t
一个
= 25
°
)
15 78
170mA 500mA
*
I
D
(持续的) 是 限制 用 最大值 评估 t
j
.
挂载 在 fr5 板, 25mm x 25mm x 1.57mm. 重大的 p
D
增加 可能 在 陶瓷的 基质. t
一个
= 25
°
C
热的 特性
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