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SW
8
PGND7
地6
CTRL
5
L
DRB 包装
(顶视图)
1
VIN 2
做 3
FB
4
Exposed
热的
消逝 垫子
TPS61045
SLVS440A –JANUARY 2003 –修订 九月 2003
电的 特性
V
I
= 2.4 v, CTRL = V
I
, V
O
= 18.0 v, I
O
= 10 毫安, T
一个
= -40
°
C 至 85
°
c, 典型 值 是 在 T
一个
= 25
°
C (除非 否则 指出)
参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
供应 电流
V
I
输入 电压 范围 1.8 6.0 V
I
Q
运行 安静的 电流 I
O
= 0 毫安, 不 切换 40 65 µA
I
o(sd)
关闭 电流 CTRL = 地 0.1 1 µA
V
UVLO
下面-电压 lockout 门槛 V
I
下落 1.5 1.7 V
CTRL 和 DAC 输出
V
IH
CTRL 高 水平的 输入 电压 1.3 V
V
IL
CTRL 低 水平的 输入 电压 0.3 V
I
lkg
CTRL 输入 泄漏 电流 CTRL = 地 或者 VIN 0.1 µA
V
o(做)
DAC 输出 电压 范围 0 1.233 V
DAC 决议 6 位 19.6 mV
V
o(做)
DAC 中心 输出 电压 CTRL = 高 607 mV
I
o(下沉)
最大 DAC 下沉 电流 30 µA
t
(向上)
增加 输出 电压 一个 步伐 CTRL = 高 至 低 1 60 µs
t
(dwn)
Decrease 这 输出 电压 一个 步伐 CTRL = 高 至 低 140 240 µs
t
d1
延迟 时间 在 向上/向下 步伐 CTRL = 低 至 高 1 µs
t
(止)
关闭 CTRL = 高 至 低 560 µs
输入 转变 (q1), 主要的 转变 (q2) 和 电流 限制
V
sw(q2)
主要的 转变 最大 电压 (q2) 30 V
r
ds(在)
主要的 转变 场效应晶体管 在-阻抗 V
I
= 2.4 v; I
S
= 200 毫安 400 800 m
Ω
I
lkg(主要的)
主要的 转变 场效应晶体管 泄漏 电流 V
S
= 28 V 0.1 10 µA
I
(lim)
主要的 转变 场效应晶体管 电流 限制 300 375 450 毫安
r
ds(在)
输入 转变 场效应晶体管 在-阻抗 V
I
= 2.4 v; I
S
= 200 毫安 1 2
Ω
I
lkg(在)
输入 转变 场效应晶体管 泄漏 电流 VL = 地, V
I
= 6 V 0.1 10 µA
输出
V
O
输出 电压 范围 Vin 28 V
V
ref
内部的 电压 涉及 1.233 V
I
(fb)
反馈 输入 偏差 电流 VFB = 1.3 V 30 100 nA
V
(fb)
反馈 trip 要点 电压 1.8 V
≤
V
I
≤
6.0 v; V
O
= 18 v, I
(加载)
= 10 1.208 1.233 1.258 V
毫安
(一个) 这 Exposed 热的 消逝 垫子 是 连接 至 pgnd. 连接 这个 垫子 直接地 和 这 地 管脚.
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