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TPS61045
SLVS440A–JANUARY 2003–修订 九月 2003
这些 设备 有 限制 建造-在 静电释放 保护. 这 leads 应当 是 短接 一起 或者 这 设备 放置 在 传导性的 foam
在 存储 或者 处理 至 阻止 静电的 损坏 至 这 MOS 门.
订货 信息
(1)
T
一个
8 管脚 QFN 包装 (drb) 包装 标记
-40
°
C 至 85
°
C TPS61045DRB BHT
(1)
这 DRB 包装 是 有 带子系紧 和 卷盘. 增加 R 后缀 (tps61045drbr) 至 顺序 数量 的 3000 单位 每 卷轴. 增加 T 后缀
(tps61045dbrt) 至 顺序 quaqntities 的 250 单位 每 卷轴.
绝对 最大 比率
在 运行 自由-空气 温度 范围 (除非 否则 指出)
(1)
TPS61045
供应 电压, V
(vin)
(2)
-0.3 V 至 7 V
电压, V
(ctrl)
, V
(fb)
, V
(l)
, V
(做)
(2)
-0.3 V 至 V
I
+ 0.3 V
电压, V
(sw)
(2)
30 V
持续的 电源 消耗 看 消耗 比率 表格
运行 接合面 温度 范围 -40
°
C 至 150
°
C
存储 温度 范围, T
STG
-65
°
C 至 150
°
C
含铅的 温度 (焊接, 10 秒) 260
°
C
(1)
压力 在之外 那些 列表 下面
绝对 最大 比率
将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率
仅有的, 和 函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之外 那些 表明 下面
推荐 运行
情况
是 不 暗指. 暴露 至 绝对-最大-评估 情况 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
(2)
所有 电压 值 是 和 遵守 至 网络 地面 终端.
消耗 比率
包装 T
一个
≤
25
°
C 电源 减额 因素 T
一个
= 70
°
C 电源 T
一个
= 85
°
C 电源
比率 在之上 T
一个
= 25
°
C 比率 比率
8 管脚 QFN (drb)
(1)
370 mW 3.7 mw/
°
C 204 mW 148 mW
(1)
这 热的 阻抗 接合面 至 包围的 的 这 8 管脚 QFN 包装 是 270
°
c/w. 标准 2 layer PCB 没有 vias 为 这 热的
垫子. 看 这 appliction 部分 在 如何 至 改进 这 热的 阻抗 R
Θ
JA
.
推荐 运行 情况
最小值 典型值 最大值 单位
V
(vin)
输入 电压 范围 1.8 6.0 V
V
(sw)
转变 电压 30 V
L Inductor
(1)
4.7 µH
f 切换 频率
(1)
1 MHz
C
i(c2)
输入 电容 (c2)
(1)
4.7 µF
C
o(c3)
输出 电容 (c3)
(1)
1 µF
T
一个
运行 包围的 温度 -40 85
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -40 125
°
C
(1)
看 应用 部分 为 更远 信息.
2
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