绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
运行 温度 范围
ds2003tn, DS2003TM −40˚C 至 +105˚C
ds2003cn, DS2003CM 0˚C 至 +85˚C
含铅的 温度
焊接, 10 秒 265˚C
最大 电源 消耗
*
在 T
一个
=
25˚C
N16E 包装 1330 mW
M16A 包装 770 mW
输入 电压 30V
输出 电压 55V
发射级-根基 电压 6.0v
持续的 集电级 电流 500 毫安
持续的 根基 电流 25 毫安
便条:
*Derate N16E 包装 13.3 mw/˚c 为 T
一个
在之上 25˚c. 减额 M16A
包装 7.7 mw/˚c 为 T
一个
在之上 25˚c.
电的 特性
T
一个
=
25˚c, 除非 否则 指定 (便条 2)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CEX
输出 泄漏
电流
T
一个
=
25˚c, V
CE
=
50V
(图示 1 )
20
T
一个
=
85˚c, V
CE
=
50V
(图示 1 )
为 ds2003cn, DS2003CM 100 µA
T
一个
=
105˚c, V
CE
=
50V
(图示 1 )
为 ds2003tn, DS2003TM 150
V
ce(sat)
集电级-发射级
饱和 电压
I
C
=
350 毫安, I
B
=
500 µA
(图示 3 )
(便条 3) 1.25 1.6
VI
C
=
200 毫安, I
B
=
350 µA
(图示 3 )
1.1 1.3
I
C
=
100 毫安, I
B
=
250 µA
(图示 3 )
0.9 1.1
I
i(在)
输入 电流 V
I
=
3.85v
(图示 4 )
0.93 1.35 毫安
I
i(止)
输入 电流
(便条 4)
T
一个
=
85˚C 为 ds2003cn, DS2003CM
I
C
=
500 µA
(图示 5 )
50 100 µA
V
i(在)
输入 电压
(便条 5)
V
CE
=
2.0v, I
C
=
200 毫安
(图示 6 )
2.4
VV
CE
=
2.0v, I
C
=
250 毫安
(图示 6 )
2.7
V
CE
=
2.0v, I
C
=
300 毫安
(图示 6 )
3.0
C
I
输入 电容 15 30 pF
t
PLH
转变-在 延迟 0.5 V
I
至 0.5 V
O
1.0 µs
t
PHL
转变-止 延迟 0.5 V
I
至 0.5 V
O
1.0 µs
I
R
Clamp 二极管
泄漏 电流
V
R
=
50V
(图示 7 )
T
一个
=
25˚C 50 µA
T
一个
=
85˚C 100 µA
V
F
Clamp 二极管
向前 电压
I
F
=
350 毫安
(图示 8 )
1.7 2.0 V
便条 1:
“Absolute 最大 Ratings” 是 那些 值 在之外 这个 这 安全 的 这 设备 不能 是 有保证的. 它们 是 不 meant 至 imply 那 这 设备
应当 是 运作 在 这些 限制. 这 tables 的 “Electrical Characteristics” 提供 情况 为 真实的 设备 运作.
便条 2:
所有 限制 应用 至 这 完全 Darlington 序列 除了 作 指定 为 一个 单独的 设备 类型.
便条 3:
下面 正常的 运行 情况 这些 单位 将 支持 350 毫安 每 输出 和 V
CE (sat)
=
1.6v 在 70˚C 和 一个 脉冲波 宽度 的 20 ms 和 一个 职责 循环 的
30
%
.
便条 4:
这 I
i(止)
电流 限制 有保证的 相反 partial 转变-在 的 这 输出.
便条 5:
这 V
i(在)
电压 限制 guarantees 一个 最小 输出 下沉 电流 每 这 指定 测试 情况.
DS2003
www.国家的.com 2
: 点此下载
