绝对 最大 比率
(注释 1, 2)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
)7v
输入 一般 模式 范围 (v
CM
)
±
14V
差别的 输入 电压 (v
DIFF
)
±
14V
使能 输入 电压 (v
在)
7V
存储 温度 范围 (t
STG
) −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接 4
秒) 260˚C
最大 电源 消耗 在 25˚C (便条 5)
塑料 “N” 包装 1645 mW
SOIC 包装 1190 mW
电流 每 输出
±
25 毫安
这个 设备 做 不 满足 2000V 静电释放 比率.
(便条 4)
运行 情况
最小值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 4.50 5.50 V
运行 温度 范围 (t
一个
) −40 +85 ˚C
使能 输入 上升 或者 下降 时间 500 ns
直流 电的 特性
(便条 3)
V
CC
=
5V
±
10
%
(除非 否则 指定)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
TH
最小 差别的 V
输出
=
V
OH
或者 V
OL
−200 35 +200 mV
输入 电压 −7V
<
V
CM
<
+7V
R
在
输入 阻抗 V
在
=
−7v, +7V 5.0 6.8 10 k
Ω
(其它 输入
=
地)
I
在
输入 电流 V
在
=
+10v, 其它 输入
=
地
+1.1 +1.5 毫安
(下面 测试) V
在
=
−10v, 其它 输入
=
地
−2.0 −2.5 毫安
V
OH
最小 高 水平的 V
CC
=
最小值, V
(diff)
=
+1V 3.8 4.2 V
输出 电压 I
输出
=
−6.0 毫安
V
OL
最大 低 水平的 V
CC
=
最大值, V
(diff)
=
−1V 0.2 0.3 V
输出 电压 I
输出
=
6.0 毫安
V
IH
最小 使能 高 2.0 V
输入 水平的 电压
V
IL
最大 使能 低 0.8 V
输入 水平的 电压
I
OZ
最大 触发-状态 V
输出
=
V
CC
或者 地,
输出 泄漏 电流 触发-状态 控制
=
V
IL
±
0.5
±
5.0 µA
I
I
最大 使能 输入 V
在
=
V
CC
或者 地
±
1.0 µA
电流
I
CC
安静的 电源 V
CC
=
最大值, V
(diff)
=
+1V 16 23 毫安
供应 电流
V
HYST
输入 Hysteresis V
CM
=
0V 60 mV
交流 电的 特性
(便条 3)
V
CC
=
5V
±
10
%
(除非 否则 指定) (
计算数量 1, 2, 3
)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
PLH
, 传播 延迟 C
L
=
50 pF
t
PHL
输入 至 输出 V
DIFF
=
2.5v 19 30 ns
V
CM
=
0V
t
上升
, 输出 上升 和 C
L
=
50 pF
t
下降
下降 时间 V
DIFF
=
2.5v 4 9 ns
V
CM
=
0V
t
PLZ
, 传播 延迟 C
L
=
50 pF
t
PHZ
使能 至 输出 R
L
=
1000
Ω
13 18 ns
V
DIFF
=
2.5v
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