绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
)7v
输入 电压 (de , RE , 和 di)
5.5v
驱动器 输出 电压/
接受者 输入 电压 −10V 至 +15V
接受者 输出 电压 (ro) 5.5v
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
N 包装
(减额 9.3 mw/˚c 在之上 +25˚c) 1168 mW
M 包装
(减额 5.8 mw/˚c 在之上 +25˚c) 726 mW
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接 4 秒.) 260˚C
静电释放 比率 (hbm, 1.5 k
Ω
, 100 pf)
≥
6.0 kV
推荐 运行
情况
最小值 最大值 单位
供应 电压, V
CC
4.75 5.25 V
总线 电压 −7 +12 V
运行 温度 (t
一个
)
DS36277T −40 +85 ˚C
电的 特性
(注释 2, 4)
在 推荐 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
驱动器 特性
V
OD
差别的 输出 电压 I
O
= 0 毫安 (非 加载) 1.5 3.6 6 V
V
oDO
输出 电压 I
O
= 0 毫安 (输出 至 地) 0 6 V
V
oDO
输出 电压 0 6 V
V
T1
差别的 输出 电压
(末端 加载)
R
L
=54
Ω
(485) (
图示 1
) 1.3 2.2 5.0 V
R
L
= 100
Ω
(422) 1.7 2.6 5.0 V
∆
V
T1
Balance 的 V
T1
R
L
=54
Ω
(便条 3) −0.2 0.2 V
|V
T1
−V
T1
| R
L
= 100
Ω
−0.2 0.2 V
V
OS
驱动器 一般 模式
输出 电压
R
L
=54
Ω
(
图示 1
) 0 2.5 3.0 V
R
L
= 100
Ω
0 2.5 3.0 V
∆
V
OS
Balance 的 V
OS
R
L
=54
Ω
(便条 3) −0.2 0.2 V
|V
OS
−V
OS
| R
L
= 100
Ω
−0.2 0.2 V
V
OH
输出 电压 高 I
OH
= −22 毫安 (
图示 2
) 2.7 3.7 V
V
OL
输出 电压 低 I
OL
= +22 毫安 1.3 2 V
I
OSD
驱动器 短的-电路
输出 电流
V
O
= +12V (
图示 3
) 92 290 毫安
V
O
= −7V −187 −290 毫安
接受者 特性
V
TH
差别的 输入 高
门槛 电压 (便条 5)
V
O
=V
OH
,i
O
= −0.4 毫安 −0.150 0 V
−7V
≤
V
CM
≤
+12V
V
TL
差别的 输入 低
门槛 电压 (便条 5)
V
O
=V
OL
,i
O
= 8.0 毫安 −0.5 −0.230 V
−7V
≤
V
CM
≤
+12V
V
HST
Hysteresis (便条 6) V
CM
=0V 80 mV
I
在
线条 输入 电流
(v
CC
= 4.75v, 5.25v, 0v)
其它 输入 = 0V V
I
= +12V 0.5 1.5 毫安
DE=V
IH
(便条 7) V
I
= −7V −0.5 −1.5 毫安
I
OSR
短的 电路 电流 V
O
= 0V RO −15 −32 −85 毫安
I
OZ
触发-状态
®
泄漏 电流 V
O
= 0.4 至 2.4v −20 1.4 +20 µA
V
OH
输出 高 电压
(
图示 12
)
V
ID
= 0v, I
OH
= −0.4 毫安 2.3 3.7 V
V
ID
= 打开, I
OH
= −0.4 毫安 2.3 3.7 V
V
OL
输出 低 电压
(
图示 12
)
V
ID
= −0.5v, I
OL
= +8 毫安 0.3 0.7 V
V
ID
= −0.5v, I
OL
= +16 毫安 0.3 0.8 V
R
在
输入 阻抗 10 20 k
Ω
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