绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) +12V
使能 输入 电压 (re
*
, de) −0.5v 至 (v
CC
+ 0.5v)
驱动器 输入 电压 (di) −0.5v 至 (v
CC
+ 0.5v)
驱动器 输出 电压 (一个, b) −14V 至 +14V
接受者 输入 电压 (一个, b) −14V 至 +14V
接受者 输出 电压 (ro) −0.5v 至 (v
CC
+ 0.5v)
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
M 包装 1.19w
N 包装 0.74w
减额 M 包装 9.5 mw/˚c 在之上 +25˚C
减额 N 包装 6.0 mw/˚c 在之上 +25˚C
最大 包装 电源 消耗
@
+70˚C
M 包装 0.76w
N 包装 0.47w
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 范围
(焊接, 4 秒.) +260˚C
静电释放 (hbm)
≥
2kV
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) +4.75 +5.0 +5.25 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
)
DS485 0 +25 +70 ˚C
DS485T −40 +25 +85 ˚C
总线 一般 模式 电压 −7 +12 V
电的 特性
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定 (注释 2, 3)
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
V
OD1
差别的 驱动器 输出 电压 (非 加载) 一个, B 5 V
V
OD2
差别的 驱动器 输出 电压 R
L
=
50
Ω
, (rs422),
图示 1
2 2.8 V
和 加载 R
L
=
27
Ω
, (rs485),
图示 1
1.5 2.3 5 V
∆
V
OD
改变 在 巨大 的 输出 R
L
=
27
Ω
或者 50
Ω
(便条 4) 0.2 |V|
差别的 电压
V
OD3
差别的 驱动器 输出 电压 — R1
=
54
Ω
,r2
=
375
Ω
1.5 2.0 5 V
全部 加载 和 最大值 V
CM
V
测试
=
−7V 至 +12v,
图示 5
V
OC
驱动器 一般模式 输出 电压 R
L
=
27
Ω
或者 50
Ω
,
图示 1
3V
∆
V
OC
改变 在 巨大 的 一般模式 R
L
=
27
Ω
或者 50
Ω
,
图示 1
(便条 4) 0.2 |V|
输出 电压
V
IH
输入 高 电压 di,
de,
RE
*
2.0 V
V
IL
输入 低 电压 0.8 V
I
IN1
输入 电流 V
在
=
0V 或者 V
CC
±
2µA
I
IN2
输入 电流 (便条 5) V
在
=
+12V 一个, B 1.0 毫安
DE
=
0v, V
CC
=
0V 或者 5.25v V
在
=
−7V −0.8 毫安
V
TH
接受者 差别的 门槛 电压 −7V
≤
V
CM
≤
+12V −0.2 0.2 V
∆
V
TH
接受者 输入 Hysteresis V
CM
=
0V 70 mV
V
OH
接受者 输出 高 电压 I
O
=
−4 毫安, V
ID
=
0.2v RO 3.5 V
V
OL
接受者 输出 低 电压 I
O
=
4 毫安, V
ID
=
−0.2v 0.4 V
I
OZR
触发-状态 输出 电流 在 接受者 0.4v
≤
V
O
≤
2.4v
±
1µA
R
在
接受者 输入 阻抗 −7V
≤
V
在
≤
+12V 一个, B 12 k
Ω
I
CC
非-加载 供应 电流 (便条 6) DE
=
V
CC
,re
*
=
0V 或者 V
CC
V
CC
200 900 µA
DE
=
0v, RE
*
=
0V 或者 V
CC
200 500 µA
I
OSD1
驱动器 短的 电路 电流, V
O
=
高 −7V
≤
V
O
≤
+12V 一个, B 35 250 毫安
I
OSD2
驱动器 短的 电路 电流, V
O
=
低 −7V
≤
V
O
≤
+12V 35 250 毫安
I
OSR
接受者 短的 电路 电流 0V
≤
V
O
≤
V
CC
RO 7 85 毫安
www.国家的.com 2