绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
)7v
驱动器 输入 电压 (di) −1.5v 至 V
CC
+ 1.5v
驱动器 输出 电压 (做,
做
*
) −0.5v 至 +7V
接受者 输入 电压 — V
CM
(ri, RI
*
)
±
14V
差别的 接受者 输入
±
14V
电压 — V
DIFF
(ri, RI
*
)
接受者 输出 电压
(ro) −0.5v 至 V
CC
+0.5v
接受者 输出 电流
(ro)
±
25 毫安
存储 温度 范围
(t
STG
) −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (t
L
) +260˚C
(焊接 4 秒.)
最大 接合面
温度 150˚C
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
M 包装 714 mW
减额 M 包装 5.7 mw/˚c 在之上
+25˚C
推荐 运行
情况
最小值 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 4.50 5.50 V
运行 温度 (t
一个
) −40 +85 ˚C
输入 上升 或者 下降 时间 (di) 500 ns
电的 特性
(注释 2, 3)
在 推荐 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定.
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
驱动器 特性
V
IH
输入 电压 高 2.0 V
CC
V
V
IL
输入 电压 低 DI 地 0.8 V
I
IH
,i
IL
输入 电流 V
在
=
V
CC
, 地, 2.0v, 0.8v 0.05
±
10 µA
V
CL
输入 Clamp 电压 I
在
=
−18 毫安 −1.5 V
V
OD1
Unloaded 输出 电压 非 加载 做,
做
*
4.2 6.0 V
V
OD2
差别的 输出 电压 R
L
=
100
Ω
2.0 3.0 V
∆
V
OD2
改变 在 巨大 的 V
OD2
5.0 400 mV
为 Complementary 输出 States
V
OD3
差别的 输出 电压 R
L
=
150
Ω
2.1 3.1 V
V
OD4
差别的 输出 电压 R
L
=
3.9 k
Ω
4.0 6.0 V
V
OC
一般 模式 电压 R
L
=
100
Ω
2.0 3.0 V
∆
V
OC
改变 在 巨大 的 V
OC
2.0 400 mV
为 Complementary 输出 States
I
OSD
输出 短的 电路 电流 V
输出
=
0V −30 −115 −150 毫安
I
止
输出 泄漏 电流 V
CC
=
0V V
输出
=
+6V 0.03 +100 µA
V
输出
=
−0.25v −0.08 −100 µA
接受者 特性
V
TL
,v
TH
差别的 门槛 V
在
=
+7v, 0v, −7V ri,
RI
*
−200
±
25 +200 mV
V
HYS
Hysteresis V
CM
=
0V 20 50 mV
R
在
输入 阻抗 V
在
=
−7v, +7v, 其它
=
0V 5.0 9.5 k
Ω
I
在
输入 电流 其它 输入
=
0v, V
在
=
+10V +1.0 +1.5 毫安
V
CC
=
5.5v 和 V
在
=
+3.0v 0 +0.22 毫安
V
CC
=
0V V
在
=
+0.5v −0.04 毫安
V
在
=
−3V 0 −0.41 毫安
V
在
=
−10V −1.25 −2.5 毫安
V
OH
输出 高 电压 I
OH
=
−6 毫安 V
DIFF
=
+1V RO 3.8 4.9 V
V
DIFF
=
打开 3.8 4.9 V
V
OL
输出 低 电压 I
OL
=
+6 毫安, V
DIFF
=
−1V 0.08 0.3 V
I
OSR
输出 短的 电路 电流 V
输出
=
0V −25 −85 −150 毫安
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