绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +4V
cmos/ttl 输入 电压 −0.5v 至 (v
CC
+ 0.3v)
cmos/ttl 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 接受者 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 驱动器 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 输出 短的
电路 持续时间 持续的
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 4 秒.) +260˚C
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
MTD48 (tssop) 包装:
DS90CR217 1.98 W
DS90CR218 1.89 W
包装 减额
DS90CR217 16 mw/˚c 在之上 +25˚C
DS90CR218 15 mw/˚c 在之上 +25˚C
静电释放 比率
(hbm, 1.5k
Ω
, 100pf)
>
7kV
(eiaj, 0
Ω
, 200pf)
>
700V
获得 向上 容忍
@
25˚C
>
±
300mA
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 3.0 3.3 3.6 V
运行 自由 空气
温度 (t
一个
) −10 +25 +70 ˚C
接受者 输入 范围 0 2.4 V
供应 噪音 电压 (v
CC
) 100 mV
PP
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
cmos/ttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
= −0.4 毫安 2.7 3.3 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
= 2 毫安 0.06 0.3 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −0.79 −1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
= 0.4v, 2.5v 或者 V
CC
+1.8 +10 µA
V
在
= 地 −10 0 µA
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0V −60 −120 毫安
LVDS 驱动器 直流 规格
V
OD
差别的 输出 电压 R
L
= 100
Ω
250 290 450 mV
∆
V
OD
改变 在 V
OD
在
Complimentary 输出 States
35 mV
V
OS
补偿 电压 (便条 4) 1.125 1.25 1.375 V
∆
V
OS
改变 在 V
OS
在
Complimentary 输出 States
35 mV
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
= 0v, −3.5 −5 毫安
R
L
= 100
Ω
I
OZ
输出 触发-状态
®
电流 PWR DWN = 0v,
±
1
±
10 µA
V
输出
=0VorV
CC
LVDS 接受者 直流 规格
V
TH
差别的 输入 高 门槛 V
CM
= +1.2v +100 mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 −100 mV
I
在
输入 电流 V
在
= +2.4v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
V
在
= 0v, V
CC
= 3.6v
±
10 µA
传输者 供应 电流
I
CCTW
传输者 供应 电流
Worst 情况 (和 负载)
R
L
= 100
Ω
,
C
L
= 5 pf,
Worst 情况
模式
(
计算数量 1, 2
)
f = 33 MHz 28 42 毫安
f = 40 MHz 29 47 毫安
f = 66 MHz 34 52 毫安
f = 75 MHz 39 57 毫安
ds90cr217/ds90cr218
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