绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
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分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
DD
) −0.3v 至 +4V
LVCMOS 输入 电压 (ttl 在) −0.3v 至 +3.6v
LVDS 输出 电压 (输出
±
) −0.3v 至 +3.9v
LVDS 输出 短的 电路 电流 24mA
最大 包装 电源 消耗
@
+25˚C
LDA 包装 2.26 W
减额 LDA 包装 18.1 mw/˚c 在之上 +25˚C
热的 阻抗 (
θ
JA
) 55.3˚c/watt
MF 包装 902 mW
减额 MF 包装 7.22 mw/˚c 在之上 +25˚C
热的 阻抗 (
θ
JA
) 138.5˚c/watt
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 范围 焊接
(4 秒.) +260˚C
最大 接合面
温度 +150˚C
静电释放 比率
HBM (1.5 k
Ω
, 100 pf)
≥
9kV
EIAJ (0
Ω
, 200 pf)
≥
900V
CDM (0
Ω
, 0 pf)
≥
2000V
IEC 直接 (330
Ω
, 150 pf)
≥
4kV
推荐 运行
情况
最小值 典型值 最大值 单位
供应 电压 (v
DD
) 3.0 3.3 3.6 V
温度 (t
一个
) −40 +25 +85 ˚C
电的 特性
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定. (注释 2, 3, 8)
标识 参数 情况 管脚 最小值 典型值 最大值 单位
|V
OD
| 输出 差别的 电压 R
L
= 100
Ω
(
图示 1
和
图示 2
)
out+,
OUT−
250 350 450 mV
∆
V
OD
V
OD
巨大 改变 335mV
V
OS
补偿 电压 R
L
= 100
Ω
(
图示 1
)
1.125 1.22 1.375 V
∆
V
OS
补偿 巨大 改变 0 1 25 mV
I
止
电源-止 泄漏 V
输出
= 3.6v 或者 地, V
DD
=0V
±
1
±
10 µA
I
OS
输出 短的 电路 电流
(便条 4)
V
OUT+
和 V
OUT−
= 0V −6 −24 毫安
I
OSD
差别的 输出 短的 电路
电流 (便条 4)
V
OD
= 0V −5 −12 毫安
C
输出
输出 电容 3pF
V
IH
输入 高 电压 TTL 在 2.0 V
DD
V
V
IL
输入 低 电压 地 0.8 V
I
IH
输入 高 电流 V
在
= 3.3v 或者 2.4v
±
2
±
10 µA
I
IL
输入 低 电流 V
在
= 地 或者 0.5v
±
1
±
10 µA
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
= −18 毫安 −1.5 −0.6 V
C
在
输入 电容 3pF
I
DD
电源 供应 电流 非 加载 V
在
=V
DD
或者 地 V
DD
58mA
R
L
= 100
Ω
710mA
切换 特性
在 供应 电压 和 运行 温度 范围, 除非 否则 指定. (注释 3, 5, 6, 7)
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
PHLD
差别的 传播 延迟 高 至 低 R
L
= 100
Ω
,c
L
= 15 pF 0.3 1.0 1.5 ns
t
PLHD
差别的 传播 延迟 低 至 高 (
图示 3
和
图示 4
) 0.3 1.1 1.5 ns
t
SKD1
差别的 脉冲波 Skew |t
PHLD
−t
PLHD
| (便条 9) 0 0.1 0.7 ns
t
SKD3
差别的 部分 至 部分 Skew (便条 10) 0 0.2 1.0 ns
t
SKD4
差别的 部分 至 部分 Skew (便条 11) 0 0.4 1.2 ns
t
TLH
转变 低 至 高 时间 0.2 0.5 1.0 ns
t
THL
转变 高 至 低 时间 0.2 0.5 1.0 ns
f
最大值
最大 运行 频率 (便条 12) 200 250 MHz
DS90LV011A
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