绝对 最大 比率
(便条 1)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
供应 电压 (v
CC
) −0.3v 至 +6V
cmos/ttl 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
cmos/ttl 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 接受者 输入 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 驱动器 输出 电压 −0.3v 至 (v
CC
+ 0.3v)
LVDS 输出 短的 电路 持续时间 持续的
接合面 温度 +150˚C
存储 温度 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度 (焊接, 4 秒) +260˚C
最大 电源 消耗
@
25˚C
MTD56 (tssop) 包装:
DS90CF583 1.63w
DS90CF584 1.61w
包装 减额:
DS90CF583 12.5 mw/˚c 在之上 +25˚C
DS90CF584 12.4 mw/˚c 在之上 +25˚C
这个 设备 做 不 满足 2000V 静电释放 比率 (便条 4) .
推荐 运行
情况
最小值 Nom 最大值 单位
供应 电压 (v
CC
) 4.75 5.0 5.25 V
运行 自由 空气 −10 +25 +70 ˚C
温度 (t
一个
)
接受者 输入 范围 0 2.4 V
供应 噪音 电压 (v
CC
) 100 mV
p-p
电的 特性
在 推荐 运行 供应 和 温度 范围 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
cmos/ttl 直流 规格
V
IH
高 水平的 输入 电压 2.0 V
CC
V
V
IL
低 水平的 输入 电压 地 0.8 V
V
OH
高 水平的 输出 电压 I
OH
=
−0.4 毫安 3.8 4.9 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 I
OL
=
2 毫安 0.1 0.3 V
V
CL
输入 Clamp 电压 I
CL
=
−18 毫安 −0.79 −1.5 V
I
在
输入 电流 V
在
=
V
CC
, 地, 2.5v 或者 0.4v
±
5.1
±
10 µA
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
=
0V −120 毫安
LVDS 驱动器 直流 规格
V
OD
差别的 输出 电压 R
L
=
100
Ω
250 290 450 mV
∆
V
OD
改变 在 V
OD
在 35 mV
Complementary 输出 States
V
CM
一般 模式 电压 1.1 1.25 1.375 V
∆
V
CM
改变 在 V
CM
在 35 mV
Complementary 输出 States
V
OH
高 水平的 输出 电压 1.3 1.6 V
V
OL
低 水平的 输出 电压 0.9 1.01 V
I
OS
输出 短的 电路 电流 V
输出
=
0v, R
L
=
100
Ω
−2.9 −5 毫安
I
OZ
输出 触发-状态
®
电流 电源 向下
=
0v, V
输出
=
0V 或者 V
CC
±
1
±
10 µA
LVDS 接受者 直流 规格
V
TH
差别的 输入 高
门槛
V
CM
=
+1.2v +100 mV
V
TL
差别的 输入 低 门槛 −100 mV
I
在
输入 电流 V
在
=
+2.4v V
CC
=
5.5v
±
10 µA
V
在
=
0V
±
10 µA
传输者 供应 电流
I
CCTW
传输者 供应 电流, R
L
=
100
Ω
,c
L
=
5 pf, f
=
32.5 MHz 49 63 毫安
Worst 情况 Worst 情况 模式 f
=
37.5 MHz 51 64 毫安
(
图示 1
,
图示 3
)f
=
65 MHz 70 84 毫安
I
CCTG
传输者 供应 电流, R
L
=
100
Ω
,c
L
=
5 pf, f
=
32.5 MHz 40 55 毫安
16 Grayscale 16 Grayscale 模式 f
=
37.5 MHz 41 55 毫安
(
图示 2
,
图示 3
)f
=
65 MHz 55 67 毫安
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