SI9185DMP-AD-T1_集成电路资料查询网

Si9185
vishay siliconix
www.vishay.com
6
文档 号码:  71765
s-20641
—
rev. b, 06-将-02
典型 特性 (内部 管制, 25

c 除非 指出)
0
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0 100 200 300 400 500 600
落后 电压 vs. 加载 电流
I
加载
(毫安)
(mv)v
漏出
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300
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落后 电压 vs. temperature
0.0
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1.0
1.5
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3.5
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落后 典型的
V
在
(v)
(v)v
输出
接合面 温度 (

c)
0
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150
200
250
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350
400
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落后 电压 vs. v
输出
落后 电压 (mv)
V
输出
R
加载
= 16.5

(mv)v
漏出
I
输出
= 0 毫安
I
输出
= 500 毫安
I
输出
= 10 毫安
I
输出
= 200 毫安
V
输出
= 3.0 v
V
输出
= 3.0 v
I
输出
= 10 毫安
I
输出
= 200 毫安
I
输出
= 500 毫安
–
1.0
–
0.8
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0.2
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40
–
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normalized v
输出
vs. temperature
接合面 温度 (

c)
(%)v
输出
I
输出
= 1 毫安
I
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= 500 毫安
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normalized 输出 电压 vs. 加载 电流
输出 电压 (%)
加载 电流 (毫安)
I
输出
= 200 毫安

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Si9185 vishay siliconix www.vishay.com 6 文档号码: 71765 s-20641 — rev. b, 06-将-02 典型特性 (内部管制, 25  c 除非指出) 0 50 100 150 200 250 300 0 100 200 300 400 500 600 落后电压 vs. 加载电流 I 加载 (毫安) (mv)v 漏出 0 50 100 150 200 250 300 – 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 落后电压 vs. temperature 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 0123456 落后典型的 V 在 (v) (v)v 输出接合面温度 (  c) 0 50 100 150 200 250 300 350 400 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 落后电压 vs. v 输出落后电压 (mv) V 输出 R 加载 = 16.5  (mv)v 漏出 I 输出 = 0 毫安 I 输出 = 500 毫安 I 输出 = 10 毫安 I 输出 = 200 毫安 V 输出 = 3.0 v V 输出 = 3.0 v I 输出 = 10 毫安 I 输出 = 200 毫安 I 输出 = 500 毫安 – 1.0 – 0.8 – 0.6 – 0.4 – 0.2 – 0.0 0.2 – 40 – 20 0 20 40 60 80 100 120 140 normalized v 输出 vs. temperature 接合面温度 (  c) (%)v 输出 I 输出 = 1 毫安 I 输出 = 500 毫安 – 0.75 – 0.60 – 0.45 – 0.30 – 0.15 0.00 0.15 0.30 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 normalized 输出电压 vs. 加载电流输出电压 (%) 加载电流 (毫安) I 输出 = 200 毫安

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