bc846bpdw1t1, bc847bpdw1t1 序列, bc848cpdw1t1 序列
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典型 npn 特性 − bc847 序列 &放大; bc848 序列
图示 13. normalized 直流 电流 增益
I
C
, 集电级 电流 (madc)
2.0
图示 14. “saturation” 和 “on” 电压
I
C
, 集电级 电流 (madc)
0.2 0.5 1.0 10 20
50
0.2
100
图示 15. 集电级 饱和 区域
I
B
, 根基 电流 (毫安)
图示 16. base−emitter 温度
系数
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
2.0 5.0
200
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0.5
0
0.2
0.4
0.1
0.3
1.6
1.2
2.0
2.8
2.4
1.2
1.6
2.0
0.02 1.0
10
0
20
0.1
0.4
0.8
h
FE
, normalized 直流 电流 增益
v, 电压 (伏特)
V
CE
, collector−emitter 电压 (v)
VB
, 温度 系数 (mv/ c)
°
θ
1.5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.3
0.2 0.5 1.0 10 20
50
2.0
10070
307.05.03.00.70.30.1
0.2 1.0
10 100
T
一个
= 25
°
C
V
是(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
ce(sat)
@ i
C
/i
B
= 10
V
是(在)
@ v
CE
= 10 v
V
CE
= 10 v
T
一个
= 25
°
C
−55
°
c 至 +125
°
C
T
一个
= 25
°
C
I
C
= 50 毫安 I
C
= 100 毫安
I
C
= 200 毫安
I
C
=
20 毫安
I
C
=
10 毫安
1.0
图示 17. capacitances
V
R
, 反转 电压 (伏特)
10
图示 18. current−gain − 带宽 产品
I
C
, 集电级 电流 (madc)
0.4 0.6 1.0 10 20
1.0
2.0 6.0
40
80
100
200
300
400
60
20
40
30
7.0
5.0
3.0
2.0
0.7 1.0 10 202.0
50
307.05.03.00.5
V
CE
= 10 v
T
一个
= 25
°
C
c, 电容 (pf)
f, current−gain − 带宽 产品 (mhz)
T
0.8 4.0 8.0
T
一个
= 25
°
C
C
ob
C
ib