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资料编号:274318
资料名称:
SI4818DY-T1
文件大小: 68.91K
说明
:
介绍
:
Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
: 点此下载
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4818DY
vishay siliconix
www.vishay.com
8
文档 号码: 71122
s-31062—rev. b, 26-将-03
典型 特性 (25
c 除非 指出)
肖特基
V
DS
-
流-至-源 电压 (v)
C
-
电容 (pf)
电容
0
25
50
75
100
125
150
0
40
80
120
160
200
0
6
12
18
24
30
20
10
0.0001
反转 电流 vs. 接合面 t
emperature
-
反转 电流 (毫安)
I
R
T
J
-
温度 (
c)
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
10
1
向前 电压 漏出
-
向前 电流 (一个)
I
F
V
F
-
向前 电压 漏出 (v)
T
J
= 150
C
T
J
= 25
C
30 v
24 v
0.001
0.01
0.1
1
C
oss
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