Si4830DY
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2
文档 号码: 71161
s-31989—rev. c, 13-oct-03
场效应晶体管 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出).
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ
一个
最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 250
一个 0.8 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100 nA
V
DS
= 30 v V
GS
= 0 v
ch-1
1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v
Ch 1
ch-2
100
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 30 v V
GS
= 0 v T
J
= 85
C
ch-1
15
一个
V
DS
= 30 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 85
C
Ch 1
ch-2
2000
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 5 v, v
GS
= 10 v 20 一个
流 源 在 状态 阻抗
b
r
ds( )
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.5 一个 0.018 0.022
流-源 在-状态 阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 6.5 一个 0.024 0.030
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 15 v, i
D
= 7.5 一个 22 S
二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个 V
GS
= 0 v
ch-1
0.8 1.2
V二极管 向前 电压
b
V
SD
I
S
= 1 一个, v
GS
= 0 v
Ch 1
ch-2
0.47 0.5
V
动态
一个
总的 门 承担 Q
g
13 20
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= 15 v,
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.5 一个
2
nC
门-流 承担 Q
gd
DS
,
GS
,
D
2.7
门 阻抗 R
g
0.5 3.2
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
8 16
上升 时间 t
r
V
DD
= 15 v, r
L
= 15
10 20
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
= 15 v,R
L
= 15
I
D
1 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 6
21 40
ns
下降 时间 t
f
10 20
ns
源 流 反转 恢复 时间 t I
F
= 1 7 一个 di/dt = 100 一个/
s
ch-1
40 80
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 1.7 一个, di/dt = 100 一个/
s
Ch 1
ch-2
32 70
注释
一个. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
b. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
肖特基 规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
向前 voltage 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个 0.47 0.50
V向前 电压 漏出 V
F
I
F
= 1.0 一个, t
J
= 125
C 0.36 0.42
V
V
r
= 30 v 0.004 0.100
最大 反转 泄漏 电流 I
rm
V
r
= 30 v, t
J
= 100
C 0.7 10
mAg
rm
V
r
=-30 v, t
J
= 125
C 3.0 20
接合面 电容 C
T
V
r
= 10 v
50 pF
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