Si4511DY
vishay siliconix
文档号码: 72223
s-41496—rev.b, 09-8月-04
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3
典型 特性 (25
c 除非 指出) N−CHANNEL
−
在-阻抗 (
0
8
16
24
32
40
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
0
8
16
24
32
40
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75
0
2
4
6
8
10
0 3 6 9 1215182124
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
−
50
−
25 0 25 50 75 100 125 150
0.000
0.005
0.010
0.015
0.020
0 8 16 24 32 40
0
400
800
1200
1600
2000
048121620
输出特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
V
GS
= 10 thru 4 v
V
GS
−
门-至-源 电压 (v)
−
流 电流 (一个)I
D
25
C
T
C
= 125
C
−
门-至-源 电压 (v)
Q
g
−
总的 门 承担 (nc)
V
DS
−
流-至-源 电压 (v)
C
−
电容 (pf)
V
GS
C
rss
C
oss
C
iss
r
ds(在)
)
I
D
−
流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 temperature
T
J
−
接合面 温度 (
c)
V
GS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
2 v
3 v
−
55
C
V
DS
= 10 v
I
D
= 9.6 一个
V
GS
= 10 v
I
D
= 9.6 一个
r
ds(在)
−
在-resiistance
(normalized)
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