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资料编号:274359
资料名称:
Si4810DY-T1
文件大小: 43.14K
说明
:
介绍
:
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
: 点此下载
1
2
3
4
5
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si4810DY
vishay siliconix
文档
号码: 70802
s-31062—rev. f, 26-将-03
www.vishay.com
2-5
典型 特性 (25
c 除非 指出)
2
1
0.1
0.01
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
11030
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 80
c/w
3. t
JM
- t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
Normalized
热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的 (肖特基)
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的
瞬时
热的 阻抗
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