特性
little foot
加
100% r
g
测试
Si4852DY
vishay siliconix
文档号码: 71307
s-31726—rev.d, 18-8月-03
www.vishay.com
1
n-频道 30-v (d-s) 场效应晶体管 和 肖特基 二极管
产品SUMMARY
V
DS
(v) r
ds(在)
(
) I
D
(一个)
30
0.0120 @ v
GS
= 10 v 11
30
0.0175 @ v
GS
= 4.5 v 9.5
肖特基 产品 summary
V
DS
(v)
V
SD
(v)
二极管 向前 电压
I
F
(一个)
30 0.53 v @ 3 一个 4
S
SD
S
D
SD
G
D
所以-8
5
6
7
8
顶 视图
2
3
4
1
订货 信息: Si4852DY
si4852dy-t1 (和 tape 和 卷轴)
n-频道 场效应晶体管
D
G
肖特基 二极管
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 10 secs 稳步的 状态 单位
流-源 voltage (场效应晶体管) V
DS
30
反转 电压 (肖特基) V
DA
30
V
门-源 电压 V
GS
20
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
T
一个
= 25
C
I
D
11 8.7
持续的 流 电流
(t
J
= 150 c)
(场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
I
D
9.0 7.0
搏动 流 电流 (场效应晶体管) I
DM
50
一个
持续的 源 电流 (场效应晶体管 二极管 传导)
一个
I
S
2.3 1.3
一个
平均 foward 电流 (肖特基) I
F
4.0 2.5
搏动 foward 电流 (肖特基) I
FM
50
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 25
C 2.5 1.47
最大 电源 消耗 (场效应晶体管)
一个
T
一个
= 70
C
P
D
1.6 0.94
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 25
C
P
D
2.27 1.38
W
最大 电源 消耗 (肖特基)
一个
T
一个
= 70
C 1.45 0.88
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的阻抗比率
场效应晶体管 肖特基
参数 标识
Typ 最大值 Typ 最大值
单位
Mi J 德州仪器 tAbit
一个
t
10 秒
R
40 50 45 55
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的-状态
R
thJA
72 85 75 90
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的-状态 R
thJF
18 22 20 25
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
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