Si4453DY
vishay siliconix
新 产品
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2
文档 号码: 72175
s-03849—rev.一个, 28-apr-03
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
门 门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -600
一个 -0.4 -0.9 V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8
V
100 nA
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=-9.6 v, v
GS
= 0 v -1
一个零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
=-9.6 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 70
C -10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
=-5 v, v
GS
=-4.5 v -30 一个
V
GS
=-4.5 v, i
D
=-14 一个 0.0051 0.0065
流-源 在-状态 阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
=-2.5 v, i
D
=-13 一个 0.0062 0.00775
ds(在)
V
GS
=-1.8 v, i
D
=-12 一个 0.0082 0.01025
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
=-6
v,I
D
=-14 一个
80 S
二极管 向前 电压
一个
V
SD
I
S
=-2.7 一个, v
GS
= 0 v -0.6 -1.1 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
110 165
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= -6 v,
V
GS
=-5 v, i
D
=-14 一个 15 nC
门-流 承担 Q
gd
27.5
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
110 170
上升 时间 t
r
V
DD
=-6 v, r
L
= 6
235 350
ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
V
DD
=-6 v,R
L
= 6
I
D
-1 一个, v
GEN
= -4.5 v, r
G
= 6
410 620
ns
下降 时间 t
f
285 430
门 阻抗 R
g
3.6
源-流 反转 恢复 时间 t
rr
I
F
=-2.1 一个, di/dt = 100 一个/
s 180 270 ns
注释
一个. 脉冲波 测试; 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
b. 有保证的 用 设计, 不 主题 至 生产 测试.
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
10
20
30
40
50
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75
0
10
20
30
40
50
012345
V
GS
= 5 thru 2 v
T
C
= 125
C
-55
C
25
C
输出 特性 转移 特性
V
DS
-流-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
V
GS
-门-至-源 电压 (v)
-流 电流 (一个)I
D
1.5 v