数据 薄板
2 mbit 页-模式 可擦可编程只读存储器
sst29ee020 / sst29le020 / sst29ve020
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©2001 硅 存储 技术, 公司 s71062-06-000 6/01 307
写 运作 状态 发现
这 sst29ee/le/ve020 提供 二 软件 意思 至
发现 这 completion 的 一个 写 循环, 在 顺序 至 优化
这 系统 写 循环 时间. 这 软件 发现
包含 二 状态 位: data# polling (dq
7
) 和 toggle 位
(dq
6
). 这 终止 的 写 发现 模式 是 使能 之后 这
rising we# 或者 ce# whichever occurs 第一, 这个 initiates
这 内部的 写 循环.
这 真实的 completion 的 这 nonvolatile 写 是 asynchro-
nous 和 这 系统; 因此, 也 一个 data# polling 或者
toggle 位 读 将 是 同时发生的 和 这 completion
的 这 写 循环. 如果 这个 occurs, 这 系统 将 possibly
得到 一个 erroneous 结果, i.e., 有效的 数据 将 呈现 至 con-
flict 和 也 dq
7
或者 dq
6
. 在 顺序 至 阻止 spurious
拒绝, 如果 一个 erroneous 结果 occurs, 这 软件 routine
应当 包含 一个 循环 至 读 这 accessed location 一个
额外的 二 (2) 时间. 如果 两个都 读 是 有效的, 然后 这
设备 有 完成 这 写 循环, 否则 这 rejec-
tion 是 有效的.
data# polling (dq
7
)
当 这 sst29ee/le/ve020 是 在 这 内部的 写
循环, 任何 attempt 至 读 dq
7
的 这 last 字节 承载 dur-
ing 这 字节-加载 循环 将 receive 这 complement 的 这
真实 数据. once 这 写 循环 是 完成, dq
7
将
显示 真实 数据. 这 设备 是 然后 准备好 为 这 next opera-
tion. 看 图示 7 为 data# polling 定时 图解 和 图-
ure 16 为 一个 flowchart.
toggle 位 (dq
6
)
在 这 内部的 写 循环, 任何 consecutive attempts 至
读 dq
6
将 生产 alternating 0s 和 1s, i.e., toggling
在 0 和 1. 当 这 写 循环 是 完成, 这
toggling 将 停止. 这 设备 是 然后 准备好 为 这 next
运作. 看 图示 8 为 toggle 位 定时 图解 和
图示 16 为 一个 flowchart. 这 最初的 读 的 这 toggle 位
将 典型地 是 一个
“
1
”
.
数据 保护
这 sst29ee/le/ve020 提供 两个都 硬件 和 软-
ware 特性 至 保护 nonvolatile 数据 从 inadvertent
写.
硬件 数据 保护
噪音/glitch 保护:一个 we# 或者 ce# 脉冲波 的 较少 比 5
ns 将 不 initiate 一个 写 循环.
V
DD
电源 向上/向下 发现:这 写 运作 是
inhibited 当 v
DD
是 较少 比 2.5v.
写 inhibit 模式:
forcing oe# 低, ce# 高, 或者 we#
高 将 inhibit 这 写 运作. 这个 阻止 inadvert-
ent 写 在 电源-向上 或者 电源-向下.
软件 数据 保护 (sdp)
这 sst29ee/le/ve020 提供 这 电子元件工业联合会 批准
optional 软件 数据 保护 scheme 为 所有 数据 改变-
ation 行动, i.e., 写 和 碎片-擦掉. 和 这个
scheme, 任何 写 运作 需要 这 包括 的 一个
序列 的 三 字节-加载 行动 至 precede 这 数据
加载 运作. 这 三 字节-加载 sequence 是 使用 至
initiate 这 写 循环, 供应 最优的 保护 从
inadvertent 写 行动, e.g., 在 这 系统 电源-
向上 或者 电源-向下. 这 sst29ee/le/ve020 是 运输
和 这 软件 数据 保护 无能.
这 软件 保护 scheme 能 是 使能 用 应用-
ing 一个 三-字节 sequence 至 这 设备, 在 一个 页-
加载 循环 (计算数量 5 和 6). 这 设备 将 然后 是 自动-
matically 设置 在 这 数据 保护 模式. 任何 subsequent
写 运作 将 需要 这 preceding 三-字节
sequence. 看 表格 4 为 这 明确的 软件 command
代号 和 计算数量 5 和 6 为 这 定时 图解. 至 设置
这 设备 在 这 unprotected 模式, 一个 六-字节 sequence
是 必需的. 看 表格 4 为 这 明确的 代号 和 图示 9
为 这 定时 图解. 如果 一个 写 是 attempted 当 sdp 是
使能 这 设备 将 是 在 一个 非-accessible 状态 为
~300 µs. sst 推荐 软件 数据 保护
总是 是 使能. 看 图示 17 为 flowcharts.
这 sst29ee/le/ve020 软件 数据 保护 是 一个
global command, protecting 所有 页 在 这 全部 记忆
排列 once 使能 (或者 无能). 因此 使用 sdp 为
一个 单独的 页-写 将 使能 sdp 为 这 全部 排列.
单独的 页 用 themselves 不能 是 sdp 使能 或者
无能.
单独的 电源 供应 reprogrammable nonvolatile memo-
ries 将 是 unintentionally 改变. sst strongly recom-
mends 那 软件 数据 保护 (sdp) 总是 是
使能. 这 sst29ee/le/ve020 应当 是 编写程序
使用 这 sdp command sequence. sst 推荐 这
sdp 使不能运转 command sequence 不 是 issued 至 这
设备 较早的 至 writing.
请 谈及 至 这 下列的 应用 注释 为 更多
信息 在 使用 sdp:
•
protecting 相反 unintentional 写 当
使用 单独的 电源 供应 flash memories
•
这 恰当的 使用 的 电子元件工业联合会 标准 软件
数据 保护
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