uni–directional tvs
I
PP
I
F
V
I
I
R
I
T
V
RWM
V
C
V
BR
V
F
1smc5.0at3 序列
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2
最大 比率
比率 标识 值 单位
顶峰 电源 消耗 (便条 1.) @ t
L
= 25
°
c, 脉冲波 宽度 = 1 ms P
PK
1500 W
直流 电源 消耗 @ t
L
= 75
°
C
量过的 零 含铅的 长度 (便条 2.)
减额 在之上 75
°
C
热的 阻抗 从 接合面 至 含铅的
P
D
R
JL
4.0
54.6
18.3
W
mw/
°
C
°
c/w
直流 电源 消耗 (便条 3.) @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的
P
D
R
JA
0.75
6.1
165
W
mw/
°
C
°
c/w
向前 surge 电流 (便条 4.) @ t
一个
= 25
°
C I
FSM
200 一个
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–65 至 +150
°
C
1. 10 x 1000
s, non–repetitive
2. 1
″
正方形的 铜 垫子, fr–4 板
3. fr–4 板, 使用 在 半导体 最小 推荐 footprint, 作 显示 在 403 情况 外形 维度 规格.
4. 1/2 sine 波 (或者 相等的 正方形的 波), pw = 8.3 ms, 职责 循环 = 4 脉冲 每 分钟 maximum.
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非
否则 指出, v
F
= 3.5 v 最大值 @ i
F
= 100 一个) (便条 5.)
标识
参数
I
PP
最大 反转 顶峰 脉冲波 电流
V
C
夹紧 电压 @ i
PP
V
RWM
working 顶峰 反转 电压
I
R
最大 反转 泄漏 电流 @ v
RWM
V
BR
损坏 电压 @ i
T
I
T
测试 电流
I
F
向前 电流
V
F
向前 电压 @ i
F
5. 1/2 sine 波 或者 相等的, pw = 8.3 ms
non–repetitive 职责 循环
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