E13009L_集成电路资料查询网

©2000 仙童 半导体 国际的 rev. 一个, 二月 2000
KSE13009L
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级 输出 电容 图示 4. 转变 在 时间
图示 5. 转变 止 时间
0.1 1 10 100
1
10
100
V
CE
= 5v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
0.01
0.1
1
10
I
C
= 3 i
B
V
CE
(sat)
V
是
(sat)
V
是
(sat), v
CE
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100 1000
1
10
100
1000
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级-根基 电压
0.1 1 10 100
10
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
D
, v
是
(止)=5v
t
R
t
R
, t
D
[
µ
s], 转变 在 时间
I
C
[a], 集电级 电流
0.1 1 10 100
100
1000
10000
V
CC
=125V
I
C
=5I
B
t
F
t
STG
t
STG
, t
F
[
µ
s], 转变 止 时间
I
C
[a], 集电级 电流

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©2000 仙童半导体国际的 rev. 一个, 二月 2000 KSE13009L 典型特性图示 1. 直流电流增益图示 2. 根基-发射级饱和电压集电级-发射级饱和电压图示 3. 集电级输出电容图示 4. 转变在时间图示 5. 转变止时间 0.1 1 10 100 1 10 100 V CE = 5v h FE , 直流电流增益 I C [a], 集电级电流 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 I C = 3 i B V CE (sat) V 是 (sat) V 是 (sat), v CE (sat)[v], 饱和电压 I C [a], 集电级电流 0.1 1 10 100 1000 1 10 100 1000 C ob [pf], 电容 V CB [v], 集电级-根基电压 0.1 1 10 100 10 100 1000 10000 V CC =125V I C =5I B t D , v 是 (止)=5v t R t R , t D [ µ s], 转变在时间 I C [a], 集电级电流 0.1 1 10 100 100 1000 10000 V CC =125V I C =5I B t F t STG t STG , t F [ µ s], 转变止时间 I C [a], 集电级电流

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