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资料编号:280389
 
资料名称:MJE5731
 
文件大小: 139.25K
   
说明
 
介绍:
POWER TRANSISTORS PNP SILICON
 
 


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MJE5730 MJE5731 MJE5731A
3
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
I
C
v, 电压 (v)
1.4
1.2
0.4
0
0.6
0.2
图示 3. base–emitter 电压
0.05 0.2 2.00.1 0.50.3 1.0
减额 因素
1.0
0
T
C
, 情况 温度 (
°
c)
0
50 175
0.8
0.6
0.4
0.2
75 100 125
图示 4. normalized 电源 减额
@ i
C
/i
B
= 5.0
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
150
°
C
25 150
10
5.0
图示 5. 向前 偏差 safe 运行 范围
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
5.0
2.0
0.5
0.01
30 100
使牢固结合 线 限制
第二 损坏 限制
I
C
, 集电级 电流 (放大)
直流
500
µ
s
0.05
10 20
1.0 ms
200 300 500
1.0
0.2
50
0.1
0.02
T
C
= 25
°
C
100
µ
s
MJE5730
MJE5731
MJE5732
那里 是 二 限制 在 这 电源 处理 能力 的 一个
晶体管: 平均 接合面 温度 和 第二 破裂-
向下. safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的
这 晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的 运作;
i.e., 这 晶体管 必须 不 是 subjected 至 更好 dissipa-
tion 比 这 曲线 表明.
这 数据 的 图示 5 是 为基础 在 t
j(pk)
= 150
_
c; t
C
能变的 取决于 在 情况. 第二 损坏 脉冲波
限制 是 有效的 为 职责 循环 至 10% 提供 t
j(pk)
v
150
_
c. t
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图示 6.
在 高 情况 温度, 热的 限制 将 减少 这
电源 那 能 是 处理 至 值 较少 比 这 限制
imposed 用 第二 损坏.
t, 时间 (ms)
1.0
0.01
1 k
0.3
0.2
0.07
r(t), 瞬时 热的
R
θ
jc(t)
= r(t) r
θ
JC
R
θ
JC
= 3.125
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
θ
jc(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
0.01
阻抗 (normalized)
0.7
图示 6. 热的 回馈
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500
0.2
单独的 脉冲波
d = 0.5
0.05
0.1
0.02
0.01
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