飞利浦 半导体 产品 数据
NE570Compandor
2003 apr 03
9
运算的 放大器
这 主要的 运算 放大 显示 在 这 碎片 块 图解 是 相等的 至 一个
741 和 一个 1 mhz 带宽. 图示 18 显示 这 基本 电路. 分割
collectors 是 使用 在 这 输入 一双 至 减少 g
M
, 所以 那 一个 小
补偿 电容 的 just 10 pf 将 是 使用. 这 输出
平台, 虽然 有能力 的 输出 电流 在 excess 的 20 毫安, 是
片面的 为 一个 低 安静的 电流 至 conserve 电源. 当 驱动
重的 负载, 这个 leads 至 一个 小 数量 的 转型 扭曲量.
输出
Q5
I1 I2
Q1
D2
–IN +IN
Q2
Q3
Q4
C
C
D1
Q6
SR02515
图示 18. 运算的 放大器
电阻器
inspection 的 这 增益 equations 在 计算数量 7 和 8 将 显示 那 这
基本 compressor 和 expander 电路 增益 将 是 设置 全部地 用
电阻 ratios 和 这 内部的 电压 涉及. 因此, 任何 表格 的
电阻器 那 相一致 好 将 suffice 为 这些 简单的 hook-ups,
和 绝对 精度 和 温度 系数 将 是 的 非
重要. 不管怎样, 作 一个 开始 至 modify 这 增益 等式 和
外部 电阻器, 这 内部的 电阻 精度 和 tempco 变为
非常 重大的. 图示 19 显示 这 影响 的 温度 在 这
diffused 电阻器 这个 是 正常情况下 使用 在 整体的 电路, 和
这 ion-implanted 电阻器 这个 是 使用 在 这个 电路. 在 这
核心的 0
°
c 至 +70
°
c 温度 范围, 那里 是 一个 10-至-1
改进 在 逐渐变化 从 一个 5% 改变 为 这 diffused 电阻器, 至 一个
0.5% 改变 为 这 执行 电阻器. 这 implanted 电阻器
有 另一 有利因素 在 那 它们 能 是 制造
1
/
7
这 大小 的 这
diffused 电阻器 预定的 至 这 高等级的 阻抗. 这个 saves 一个
重大的 数量 的 碎片 范围.
ÇÇÇÇÇÇÇÇÇÇÇÇ
ÇÇÇÇÇÇ
1% 错误 带宽
normalized 阻抗
温度
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
–40 0 40 80 120
低 tc
implanted 电阻
1 k
Ω
/
140
Ω
/
diffused 电阻
SR00693
图示 19. 阻抗 相比 温度
: 点此下载
