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产品 数据 薄板 rev. 01 — 17 march 2004 10 的 16
飞利浦 半导体
TEA1622P
STARplug
TM
G
v(erroramp)
电压 增益 的 错误 amplifier - 20 - dB
V
reg(clamp)
夹紧 电压 在 管脚 REG I
REG
= 6 毫安 - - 7.5 V
valley 切换 recognition
dv/dt
valley
valley recognition
−
102 - +102 v/
µ
s
f
valley
ringing 频率 为 valley 切换 N
×
V
o
= 100 V 200 550 800 kHz
t
d(valley-在)
延迟 从 valley recognition 至
转变-在
- 150 - ns
输出 平台 (场效应晶体管)
I
l(流)
流 泄漏 电流 V
流
= 650 V - - 125
µ
一个
V
br(流)
流 损坏 电压 T
j
>0
°
C 650 - - V
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 I
源
=
−
0.06 一个
T
j
=25
°
C - 12 13.8
Ω
T
j
= 100
°
C - 17 19.6
Ω
t
流(f)
流 下降 时间 V
流(转变_在)
= 300 v;
非 外部 电容 在 管脚
流
-75-ns
温度 保护
T
prot(最大值)
最大 门槛 温度 150 160 170
°
C
T
prot(hys)
门槛 温度 hysteresis - 2 -
°
C
overcurrent 和 短的 winding 保护: 管脚 源
V
源(最大值)
overcurrent 保护 电压 dv/dt = 0.1 v/
µ
s 0.47 0.50 0.53 V
V
swp
短的 winding 保护 电压 dv/dt = 0.5 v/
µ
s 0.7 0.75 0.8 V
t
d(传播)
延迟 从 detecting v
源(最大值)
至
转变-止
dv/dt = 0.5 v/
µ
s - 160 185 ns
t
leb
leading 边缘 blanking 时间 两个都 overcurrent 和 短的
winding 保护
250 350 450 ns
表格 6: 特性
…continued
T
amb
=25
°
c; 非 overtemperature; 所有 电压 是 量过的 和 遵守 至 地面; 电流 是 积极的 当 flowing 在
这 ic; 除非 否则 specified.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
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