初步的 信息
xpressflow-2020 序列 –
EA218E
ethernet 转变 chipset
8-端口 10mb ethernet 进入 控制
© 1998
zarlink 半导体, 公司
8 rev.2.1 – 二月, 1999
2. 函数的 描述
2.1 local 记忆 (local 缓存区 记忆) 接口
使用 工业 标准 同步的 burst 模式 sram 向上 至 1m 字节
32k x 32, 64k x 32, 128k x 32, 或者 256k x 32
提供 独立的 读 和 写 碎片 选择 ( l_oe[3:0]# 和 l_we[3:0]# ) 为 各自 记忆 碎片
支持 后面的 至 后面的 读 或者 写 行动 横过 记忆 碎片
2.1.1 管脚 描述
标识 类型 名字 和 功能
l_d[31:0]
ttl i/o-ts
local 记忆 数据 总线 位 [31:0]
– 一个 32-位 同步的 数据 总线.
l_a[18:2] cmos 输出
local 记忆 地址 总线 位 [18:2]
– 位 [18:2] 的 一个 同步的 地址 总线. 这
记忆 地址 是 抽样 当 l_cs# 是 使能 和 l_adsc# 是 asserted.
l_a[19] /
l_oe[3]#
cmos 输出
local 记忆 地址 总线 位 [19] 或者 local 记忆 读 碎片 选择 [3]
– de-
pends 在 记忆 配置, 这个 管脚 能 是 使用 作 这 local 记忆 地址 位
[19] 或者 作 这 local 记忆 读 碎片 选择 [3].
l_oe[2:0]# cmos 输出
local 记忆 读 碎片 选择 [2:0]
– 准许 向上 至 读 一个 的 这 4 banks 的 mem-
ory.
l_we[3:0]# cmos 输出
local 记忆 写 碎片 选择 [3:0]
– 准许 向上 至 写 一个 的 这 4 banks 的 mem-
ory.
l_bwe[3:0]# cmos 输出
local 记忆 字节 写 使能 [3:0]
– 使用 至 写 单独的 字节.
l_adsc# cmos 输出
local 记忆 控制 地址 状态
– 至 加载 一个 新 地址.
l_clk cmos 输出
local 记忆 时钟
– 一个 同步的 时钟 至 记忆 设备.
l_d[31:0] ttl i/o-ts
local 记忆 数据 总线 位 [31:0]
– 一个 32-位 同步的 数据 总线.
l_a[18:2] cmos 输出
local 记忆 地址 总线 位 [18:2]
– 位 [17:2] 的 一个 同步的 地址 总线. 这
记忆 地址 是 抽样 当 l_cs# 是 使能 和 l_adsc# 是 asserted.
l_a[19] /
l_we[3]#
cmos 输出
local 记忆 地址 总线 位 [19] 或者 local 记忆 写 碎片 选择 [3]
– de-
pends 在 记忆 配置, 这个 管脚 能 是 使用 作 这 local 记忆 地址 位
[19] 或者 作 这 local 记忆 写 碎片 选择 [3].
l_we[2:0]# cmos 输出
local 记忆 写 碎片 选择 [2:0]
– 准许 向上 至 写 一个 的 这 4 banks 的 mem-
ory.
l_oe[3:0]# cmos 输出
local 记忆 读 碎片 选择 [3:0]
– 准许 向上 至 读 一个 的 这 4 banks 的 mem-
ory.
l_bwe[3:0]# cmos 输出
local 记忆 字节 写 使能 [3:0]
– 使用 至 写 单独的 字节.
l_adsc# cmos 输出
local 记忆 控制 地址 状态
– 至 加载 一个 新 地址.
l_clk cmos 输出
local 记忆 时钟
– 一个 同步的 时钟 至 记忆 设备.
便条:
这些 管脚 有 弱 内部的 拉 向上 电阻器 (50k 至 100k ohms 各自).
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