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产品 数据 薄板 rev. 02 — 9 8月 2005 3 的 64
飞利浦 半导体
TEA5764HN
fm 无线电 + rds
[1] 低-一侧 和 高-一侧 selectivity 能 是 量过的 用 changing 这 mixer lo injection 从 高-一侧 至 低-一侧.
5. 订货 信息
V
VAFR
正确的 音频的 输出 电压
在 管脚 vafr
V
RF
= 1 mv; l = r;
∆
f = 22.5 khz;
f
mod
= 1 khz; 非 前-emphasis;
TC
deem
=75
µ
s
55 66 75 mV
(s+n)/n(m) 最大 信号-至-噪音
比率, mono
V
RF
= 1 mv;
∆
f = 22.5 khz; l = r;
f
mod
= 1 khz; de-emphasis = 75
µ
s;
B
AF
= 300 hz 至 15 khz; 一个-weighting
filter
54 57 - dB
(s+n)/n(s) 最大 信号-至-噪音
比率, 立体的
V
RF
= 1 mv;
∆
f = 67.5 khz; l = r;
f
mod
= 1 khz;
∆
f
领航员
= 6.75 khz;
de-emphasis = 75
µ
s; b
AF
= 300 hz
至 15 khz; 一个-weighting filter
50 54 - dB
α
cs
频道 分离 mst = 0; r = 1 和 l = 0 或者 r = 0
和 l = 1; v
RF
= 30
µ
v; 增加
rf 输入 水平的
27 33 - dB
THD 总的 调和的 扭曲量 V
RF
= 1 mv;
∆
f = 75 khz;
f
mod
= 1 khz; DTC = 0; B
aud
= 300 Hz
至 15 khz; 一个-weighting filter; mono;
L = r; 非 领航员 背离
- 0.4 0.9 %
V
敏感性
rds 敏锐的 emf
值
∆
f = 22.5 khz; f
AF
= 1 khz; l = r;
sym1 = 0 和 sym0 = 0; 平均
在 2000 blocks; 块 质量
比率
≥
95 %;
∆
f
RDS
= 2 kHz
-1526
µ
V
表格 1: 电的 参数 一般
这 列表 参数 是 有效的 当 一个 结晶 是 使用 那 满足 这 (所需的)东西 作 陈述 在 表格 47; 所有 RF 输入 值
是 defined 在 潜在的 区别, 除了 当 emf 是 explicitly 陈述.
标识 参数 情况 最小值 Typ 最大值 单位
表格 2: 订货 信息
类型 号码 包装
名字 描述 版本
TEA5764HN HVQFN40 塑料 热的 增强 非常 薄的 四方形 flat 包装; 身体
6
×
6
×
0.9 mm
sot618-1
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