产品 信息
设计 仔细考虑
最大 保护 相反 静电释放 损坏 结果 从
恰当的 板 布局 (看 这
布局 recommendations
部分). 一个 好的 布局 减少 这 parasitic 序列
电感 在 这 地面 线条, 供应 线条, 和 保护-
ed 信号 线条. 这 max3205e/max3207e/max3208e
静电释放 二极管 clamp 这 电压 在 这 保护 线条
在 一个 静电释放 事件 和 调往 这 电流 至 地 或者
V
CC
. 在 一个 完美的 电路, 这 夹紧 电压 (v
C
) 是
定义 作 这 向前 电压 漏出 (v
F
) 的 这 protec-
tion 二极管, 加 任何 供应 电压 呈现 在 这 cath-
ode.
为 积极的 静电释放 脉冲:
V
C
= v
CC
+ v
F
为 负的 静电释放 脉冲:
V
C
=-v
F
这 效应 的 这 parasitic 序列 电感 在 这
线条 必须 也 是 考虑 (图示 1).
为 积极的 静电释放 脉冲:
为 负的 静电释放 脉冲:
在哪里, i
静电释放
是 这 静电释放 电流 脉冲波.
在 一个 静电释放 事件, 这 电流 脉冲波 rises 从 零
至 顶峰 值 在 nanoseconds (图示 2). 为 例子,
在 一个 15kv iec-61000 空气-间隙 释放 静电释放 事件, 这
脉冲波 电流 rises 至 大概 45a 在 1ns (di/dt =
45 x 10
9
). 一个 电感 的 仅有的 10nh adds 一个 addi-
tional 450v 至 这 clamp 电压, 和 代表
大概 0.5in 的 板 查出. regardless 的 这
设备的 指定 二极管 clamp 电压, 一个 poor 布局
和 parasitic 电感 significantly 增加 这
有效的 clamp 电压 在 这 保护 信号 线条.
降低 这 影响 的 parasitic 电感 用 放置
这 max3205e/max3207e/max3208e 作 关闭 至 这
连接器 (或者 静电释放 联系 要点) 作 可能.
一个 低-等效串联电阻 0.1µf 电容 是 推荐 在
V
CC
和 地 在 顺序 至 得到 这 最大 静电释放 protec-
tion 可能. 这个 绕过 电容 absorbs 这
承担 transferred 用 一个 积极的 静电释放 事件. ideally, 这
供应 栏杆 (v
CC
) 将 absorb 这 承担 造成 用 一个
积极的 静电释放 strike 没有 changing 它的 管制
值. 所有 电源 供应 有 一个 有效的 输出
阻抗 在 它们的 积极的 围栏. 如果 一个 电源 供应’s
有效的 输出 阻抗 是 1
Ω
, 然后 用 使用 v = i x
r, 这 夹紧 电压 的 v
C
增加 用 这 equa-
tion v
C
= i
静电释放
x r
输出
. 一个 +8kv iec 61000-4-2 静电释放
事件 发生 一个 电流 尖刺 的 24a. 这 夹紧
电压 增加 用 v
C
= 24a x 1
Ω
, 或者 v
C
= 24v.
又一次, 一个 poor 布局 没有 恰当的 bypassing increas-
es 这 夹紧 电压. 一个 陶瓷的 碎片 电容
挂载 作 关闭 作 可能 至 这 max3205e/
max3207e/max3208e v
CC
管脚 是 这 最好的 选择 为
这个 应用. 一个 绕过 电容 应当 也 是
放置 作 关闭 至 这 保护 设备 作 可能.
VV Lx
dI
dt
Lx
dI
dt
CFD
静电释放 静电释放
()
()
=− +
+
()
2
13
VV V Lx
dI
dt
Lx
dI
dt
CCCFD
静电释放 静电释放
()
()
=+ +
+
()
1
12
max3205e/max3207e/max3208e
双, 四方形, 和 十六进制 高-速
差别的 静电释放-保护 ics
_______________________________________________________________________________________ 5
L1
保护
线条
L3
D2
地面 栏杆
积极的 供应 栏杆
i/o_
D1
L2
图示 1. parasitic 序列 电感
t
R
= 0.7ns 至 1ns
30ns
60ns
t
100%
90%
10%
I
顶峰
I
图示 2. iec 61000-4-2 静电释放 发生器 电流 波形
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