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资料编号:289611
 
资料名称:EDE5116AFSE
 
文件大小: 681.41K
   
说明
 
介绍:
512M bits DDR2 SDRAM (32M words x 16 bits)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
EDE5116AFSE
数据 薄板 e0705e20 (ver. 2.0)
12
交流 特性 (tc = 0
°
c 至 +85
°
c, vdd, vddq = 1.8v
±
0.1v, vss, vssq = 0v)
-6e -5c -4a
频率 (mbps) 667 533 400
参数 标识 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位 注释
/cas latency cl 5 5 4 5 3 5 tck
起作用的 至 读 或者 写 command
延迟
trcd 15
15
15
ns
precharge command 时期 tRP 15
15
15
ns
起作用的 至 起作用的/自动 refresh
command 时间
trc 60
60
55
ns
dq 输出 进入 时间 从 ck, /ck tAC
450
+450
500 +500
600 +600 ps
dqs 输出 进入 时间 从 ck,
/ck
tDQSCK
400
+400
450 +450
500 +500 ps
ck 高-水平的 宽度 tch 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55 tck
ck 低-水平的 宽度 tcl 0.45 0.55 0.45 0.55 0.45 0.55 tck
ck half 时期 tHP
最小值
(tcl, tch)
最小值
(tcl, tch)
最小值
(tcl, tch)
ps
时钟 循环 时间 tCK3000 8000 3750 8000 5000 8000 ps
dq 和 dm 输入 支撑 时间 tDH 175
225
275
ps 5
dq 和 dm 输入 建制 时间 tDS 100
100
150
ps 4
控制 和 地址 输入 脉冲波
宽度 为 各自 输入
tipw 0.6
0.6
0.6
tCK
dq 和 dm 输入 脉冲波 宽度 为
各自 输入
tdipw 0.35
0.35
0.35
tCK
数据-输出 高-阻抗 时间 从
ck,/ck
tHZ
tac 最大值
tac 最大值
tac 最大值 ps
数据-输出 低-阻抗 时间 从
ck,/ck
tLZ tac 最小值 tac 最大值 tac 最小值 tac 最大值 tac 最小值 tac 最大值 ps
dqs-dq skew 为 dqs 和
有关联的 dq 信号
tDQSQ
240
300
350 ps
dq 支撑 skew 因素 tQHS
340
400
450 ps
dq/dqs 输出 支撑 时间 从 dqs tQH
thp –
tQHS
thp –
tQHS
thp –
tQHS
ps
写 command 至 第一 dqs 闭锁
转变
tdqss wl
0.25 wl + 0.25 WL
0.25 wl + 0.25 WL
0.25 wl + 0.25 tCK
dqs 输入 高 脉冲波 宽度 tDQSH 0.35
0.35
0.35
tCK
dqs 输入 低 脉冲波 宽度 tDQSL 0.35
0.35
0.35
tCK
dqs 下落 边缘 至 ck 建制 时间 tDSS 0.2
0.2
0.2
tCK
dqs 下落 边缘 支撑 时间 从 ck tDSH 0.2
0.2
0.2
tCK
模式 寄存器 设置 command 循环
时间
tmrd 2
2
2
tCK
写 postamble twpst 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 tck
写 preamble tWPRE 0.35
0.35
0.35
tCK
地址 和 控制 输入 支撑 时间 tIH 275
375
475
ps 5
地址 和 控制 输入 建制 时间 tIS 200
250
350
ps 4
读 preamble trpre 0.9 1.1 0.9 1.1 0.9 1.1 tck
读 postamble trpst 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 0.6 tck
起作用的 至 precharge command tRAS 45 70000 45 70000 40 70000
ns
起作用的 至 自动-precharge 延迟 tRAP trcd 最小值
trcd 最小值
trcd 最小值
ns
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