MAX4691–MAX4694
低-电压 8:1 mux/双 4:1 mux/triple spdt/
四方形 spdt 在 ucsp 包装
_______________________________________________________________________________________ 3
电的 特性
—
单独的 +3v 供应 (持续)
(v+ = +2.7v 至 +3.6v, v- = 0, v
IH
= +1.4v, v
IL
= +0.4v, t
一个
= -40
°
c 至 +85
°
c, 除非 否则 指出. 典型 值 是 在
T
一个
= +25
°
c.) (注释 3, 4, 5)
参数 标识 情况 T
一个
最小值 典型值 最大值 单位
输入 止-电容
C
W
_
(止)
,
C
X
_
(止)
,
C
Y
_
(止)
,
C
Z
_
(止)
f = 1mhz, 图示 7 +25
°
c 9 pF
MAX4691 68
MAX4692 36
输出 止-电容
C
x(止)
,
C
y(止)
,
C
z(止)
f = 1mhz,
图示 7
MAX4693
+25
°
C
20
pF
MAX4691 78
MAX4692 46
在-电容
C
w(在)
,
C
x(在)
,
C
y(在)
,
C
z(在)
f = 1mhz,
图示 7
MAX4693
+25
°
C
30
pF
动态
+25
°
c 180 300
使能 转变-在 时间
(MAX4691/mAX4692/
MAX4693)
t
在
V
W
_, v
X
_, v
Y
_, v
Z
_ = 1.5v;
R
L
= 300
Ω
,c
L
= 35pf, 图示 2
-40
°
C至 +85
°
C
350
ns
+25
°
c 70 100
使能 转变-止 时间
(MAX4691/mAX4692/
MAX4693)
t
止
V
W
_, v
X
_, v
Y
_, v
Z
_ = 1.5v;
R
L
= 300
Ω
,c
L
= 35pf, 图示 2
-40
°
C至 +85
°
C
120
ns
+25
°
c 200 350
地址 转变 时间 t
TRANS
V
W
_, v
X
_, v
Y
_, v
Z
_ = 0, 1.5v;
R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35pf, 图示 3
-40
°
C至 +85
°
C
400
ns
+25
°
c 2 90
破裂-在之前-制造 t
BBM
V
W
_, v
X
_, v
Y
_, v
Z
_ = 1.5v;
R
L
= 300
Ω
, c
L
= 35pf, 图示 4
-40
°
C至 +85
°
C
2
ns
承担 injection Q
V
GEN
=0; r
GEN
=0; c
L
=1nf,
Figure 5
+25
°
c 0.1
pC
止-分开 (便条 10) V
ISO
f = 0.1mhz, r
L
= 50
Ω
, c
L
= 5pf,
图示 6
+25
°
c -70
dB
串扰 (便条 11) V
CT
f = 0.1mhz, r
L
= 50
Ω
, c
L
= 5pf,
图示 6
+25
°
c -75
dB
数字的 i/o
输入 逻辑 高 V
IH
1.4 V
输入 逻辑 低 V
IL
0.4 V
输入 泄漏 电流 I
在
V
一个
,
V
B
, v
C
, v
EN
= 0 或者 v+ -1 +1 µA
供应
+25
°
c 0.1
积极的 供应 电流 I+
v+ = 3.6v, v
一个
, v
B
, v
C
, v
EN
= 0
或者 v+
-40
°
C至 +85
°
C 1
µA
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