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1999 将 26 3
飞利浦 半导体 产品 规格
高-速 翻倍 二极管 1PS300
电的 特性
T
j
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
热的 特性
便条
1. 设备 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
每 二极管
V
F
向前 电压 看 图.3
I
F
=1mA 610
−
mV
I
F
=10mA 740
−
mV
I
F
=50mA
−
1V
I
F
= 100 毫安
−
1.2 V
I
R
反转 电流 看 图.4
V
R
=25V
−
30 nA
V
R
=80V
−
0.5
µ
一个
V
R
=25v; t
j
= 150
°
C
−
30
µ
一个
V
R
=80v; t
j
= 150
°
C
−
100
µ
一个
C
d
二极管 电容 f = 1 mhz; v
R
= 0; 看 图.5
−
2pF
t
rr
反转 恢复 时间 当 切换 从 i
F
= 10 毫安 至
I
R
= 10 毫安; r
L
= 100
Ω
;
量过的 在 i
R
= 1 毫安; 看 图.6
−
4ns
V
fr
向前 恢复 电压 当 切换 从 i
F
= 10 毫安;
t
r
= 20 ns; 看 图.7
−
1.75 V
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-tp
热的 阻抗 从 接合面 至 系-要点 200 k/w
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 便条 1 415 k/w

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1999 将 26 3 飞利浦半导体产品规格高-速翻倍二极管 1PS300 电的特性 T j =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 热的特性便条 1. 设备挂载在一个 fr4 打印-电路板. 标识参数情况典型值最大值单位每二极管 V F 向前电压看图.3 I F =1mA 610 − mV I F =10mA 740 − mV I F =50mA − 1V I F = 100 毫安 − 1.2 V I R 反转电流看图.4 V R =25V − 30 nA V R =80V − 0.5 µ 一个 V R =25v; t j = 150 ° C − 30 µ 一个 V R =80v; t j = 150 ° C − 100 µ 一个 C d 二极管电容 f = 1 mhz; v R = 0; 看图.5 − 2pF t rr 反转恢复时间当切换从 i F = 10 毫安至 I R = 10 毫安; r L = 100 Ω ; 量过的在 i R = 1 毫安; 看图.6 − 4ns V fr 向前恢复电压当切换从 i F = 10 毫安; t r = 20 ns; 看图.7 − 1.75 V 标识参数情况值单位 R th j-tp 热的阻抗从接合面至系-要点 200 k/w R th j-一个热的阻抗从接合面至包围的便条 1 415 k/w

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